異業(yè)結(jié)盟潮起 次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)

　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內(nèi)存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內(nèi)存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內(nèi)存，將會有一番激烈競爭。

　　爾必達(dá)在內(nèi)存領(lǐng)域布局越來越廣泛，2010年取得已破產(chǎn)的奇夢達(dá)(Qimonda)繪圖卡內(nèi)存(GDDR)技術(shù)，又與飛索(Spansion)合作研發(fā)電荷捕獲 (charging-trapping)NAND Flash技術(shù)，未來可能跨足到NOR Flash市場，近期則宣布與夏普合作開發(fā)ReRAM。未來爾必達(dá)將以內(nèi)存制程技術(shù)，輔以夏普最擅長的材料技術(shù)和制作工法，切入30奈米制程，最快2011年研發(fā)出ReRAM相關(guān)材料和制造技術(shù)，并由爾必達(dá)負(fù)責(zé)量產(chǎn)。

　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù)，采用十字結(jié)構(gòu)，相較于傳統(tǒng)內(nèi)存電路，更容易在層內(nèi)堆棧，藉以讓晶體管儲存更多數(shù)據(jù)，惠普已研發(fā)逾10年之久，藉由惠普的材料技術(shù)，以及海力士在內(nèi)存領(lǐng)域量產(chǎn)和技術(shù)實力，雙方合作開發(fā)ReRAM芯片，預(yù)計在3年內(nèi)第1款產(chǎn)品問世，采22奈米制程生產(chǎn)。

　　內(nèi)存業(yè)者指出，海力士和爾必達(dá)紛攜手異業(yè)，進(jìn)軍次世代內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域，顯示次世代內(nèi)存的材料和技術(shù)門坎相當(dāng)高，需要靠異業(yè)結(jié)盟來推動產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)。至于惠普和夏普會投入內(nèi)存開發(fā)，主要亦是為旗下PC、手持式產(chǎn)品等終端產(chǎn)品鋪路，確保能擁有效能最佳的內(nèi)存產(chǎn)品。

　　ReRAM是一種次世代內(nèi)存技術(shù)，未來應(yīng)用目標(biāo)是取代NAND Flash和DRAM，ReRAM芯片能利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制程制造，讀寫速度較NAND Flash芯片快許多，且大幅減少耗能。除ReRAM芯片外，其它次世代內(nèi)存技術(shù)包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等，都有不同的內(nèi)存大廠投入開發(fā)，都是為銜接NAND Flash和DRAM技術(shù)瓶頸，未來各種次世代內(nèi)存都得經(jīng)過導(dǎo)入量產(chǎn)考驗。