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          3D IC技術領風潮 邏輯IC、存儲器模塊應用成主流

          作者: 時間:2010-12-14 來源:Digitimes 收藏

            隨著可攜式裝置功能益趨復雜多元,同時體積要求輕薄、資料傳輸快速等要求,芯片線路設計也走向高階的3D IC,全球相關廠商間的3D IC策略聯(lián)盟亦紛紛成立。根據(jù)估計,3D IC在手機應用的產值將會在2015年增加到新臺幣1,100億元,屆時/存儲器堆疊模塊所占的產值將超過一半成主流。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/115443.htm

            DIGITIMES Research表示,由于4C匯流逐漸普及下,網絡逐漸走向無線化,從上游云端運算和服務器,中間的WiMAX、4G等網絡通訊技術,到下游的智能型手機、平板計算機、電子書等各式各樣的手持裝置,未來10年即將形成另一兆元產業(yè)的新科技產業(yè)鏈和新商機。

            4G通訊技術需要更高的頻寬,然而為了處理裝置上更多的功能,頻寬也成為瓶頸。3D IC關鍵技術的矽穿孔(TSV)制程將能使元件體積縮小35%,功耗降低50%,頻寬增加8倍,提振市場對3D IC的需求。

            根據(jù)工研院IEK估算,2015年全球3D IC應用于手機的產值可達新臺幣1,100億元,其中又以/存儲器堆疊市場的規(guī)模最大。目前短期而言,3D IC以應用在影像傳感器(CIS)、微機電(MEMS)居多,中期將擴展至/存儲器系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊應用為主,該趨勢將在2014年顯現(xiàn),并估計到2015年其產值就會超過所有3D IC應用的一半。

            邏輯IC/存儲器SiP模塊采取直接堆疊,因而散熱、重布線、Pitch連接及制造成本仍是現(xiàn)階段的大問題,在上述問題尚未解決或技術未趨成熟時,采用矽介質的2.5D IC就成為過渡期的方法。

            為搶攻3D IC商機,各式的合作模式相繼出現(xiàn),先有聯(lián)電、爾必達(Elpida)和力成等邏輯IC和記憶廠進行策略聯(lián)盟,后續(xù)尚有諾基亞(Nokia)和星科金朋(STATS ChipPAC)合作開發(fā)邏輯IC/。

            各廠的策略聯(lián)盟可以避免供應鏈上責任歸屬不清的問題,增加系廠商采用3D IC的信心。惟自上游的芯片廠到后段的封測廠,由誰主導供應鏈整合皆可,但主導者必須具備整合供應鏈及取得系統(tǒng)廠訂單的能力。



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