用創新封裝簡化電源設計

　　工程師應對這種挑戰的一個辦法是利用在MOSFET硅技術和封裝上的進步，這些進步能在更小尺寸的封裝內實現更高的性能。通過這個趨勢，我們可以發現，現在的封裝已經從象SO-8這樣的標準引線封裝向采用底側引出焊盤的功率封裝轉換。對于高電流應用，以前通常采用PowerPAK SO-8這樣6mmx5mm的封裝。但對于更低電流的應用，現在的趨勢是采用3mmx3mm的功率封裝，比如PowerPAK 1212-8。由于這種封裝中的RDS(on) 已經足夠低，在筆記本電腦的10A DC-DC應用中，這種封裝已經廣為使用。

　　雖然3mmx3mm的功率封裝有助于大幅減少DC-DC電路所占的空間，還是有可能進一步減小空間需求，同時提高功率密度。實現這一點的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立式單溝道MOSFET。Dual SO-8功率MOSFET已經出現了很長時間，但是它們一般只能處理小于5A的負載電流，這對筆記本電腦和上網本中的5V和3.3V電壓軌是足夠了，但很顯然，對于負載為10A和更高的系統來說，這個數值就太低了。

　　這就是為什么制造商正努力制造用于MOSFET的雙片功率封裝，因為這種封裝能夠實現比傳統表面貼裝更高的可能最大電流和更好的熱性能。通過使用功率封裝的基本形式，將兩個單獨的芯片組裝在一個封裝內，這種器件能夠減小電源電路所需的占位空間。

　　一種稱為PowerPAIR的封裝形式的外形尺寸小于單芯片的6x5封裝(PowerPAK SO-8)，最大電流等級為15A。在筆記本電腦中，這樣的負載電流一般要使用兩片功率6x5封裝，算上印制線和標識面積，以及放置兩個器件后，所占面積至少是60mm2以上。這種功率雙片封裝的尺寸是6.0mmx3.7mm，所占用的電路板空間為22mm2。所占的電路板空間減少了63%，這對電源工程師來說是益處多多，因為留給他們設計電源電路的空間是越來越少。這種優點是傳統SO-8雙片封裝類型所不具備的。