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          用創(chuàng)新封裝簡化電源設計

          作者:Hawk Lee, Jingen Qian, Kim Norton Vishay 時間:2011-02-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
                  與兩片功率6x5封裝或兩片SO-8封裝相比,除了節(jié)省空間以外,這種器件還能夠簡化設計,對于那些正在使用兩片功率3x3封裝的工程師,這種器件還能再節(jié)省點空間。前面已經(jīng)提到,在很多10A級的計算應用中,功率3x3封裝已經(jīng)成為一種趨勢,因為這種封裝比通常使用的標準SO-8封裝尺寸更小,工作溫度更低。功率雙片封裝能夠很容易地用一個器件替代兩片功率3x3封裝,甚至還能再省出在PCB上布線和打標記的空間,如圖1所示。因此,對于5A~15A的DC-DC應用,雙片封裝是一個很合理的設計,也是提高功率密度的一種方法。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/117017.htm

            雙片功率封裝使用對稱結構,適用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。這種封裝適合高邊的裸片和硅片降壓轉(zhuǎn)換器的低邊,并做了優(yōu)化。這意味著,如圖2所示,由于焊盤區(qū)的大小不一樣,低邊的導通電阻比高邊MOSFET的導通電阻更低。

            事實上,低邊MOSFET的導通電阻是器件的關鍵特性。即便封裝尺寸變小了,這種封裝還是能在4.5V電壓下獲得小于5mΩ最大RDS(on)等級。這有助于提高最大負載情況下的效率,盡管器件的尺寸不大,工作時的溫度則更低。



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