用創(chuàng)新封裝簡化電源設(shè)計

　　這種器件的另一個優(yōu)點是其布線。從圖2可以看出，封裝的引腳使其能很簡單地集成進降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計中。更特別的是，輸入安排在器件的一側(cè)，輸出在另一側(cè)。引腳2和3與DC-DC電路的VIN匹配，也就是高邊MOSFET的漏極。小焊盤也充當高標器件的漏極焊盤。更大的焊盤是電路的開關(guān)節(jié)點，高標MOSFET的源極和低邊MOSFET的漏極從內(nèi)部連到器件上。這是連接到電感器的節(jié)點。最后，接地是引腳4和5，這兩個引腳是低邊MOSFET的源極。引腳1和6是分別連到高邊和低邊MOSFET的柵極。這個布局很簡單，減少了試圖使用兩個器件時布線出錯的機會。將多個器件組合使用時需要額外使用PCB印制線，這種封裝可減少與PCB印制線有關(guān)的寄生電感，

　　轉(zhuǎn)向這種小尺寸功率雙片封裝的最后一個好處是所達到的效率水平能夠有效提高功率密度。器件安裝在單相降壓轉(zhuǎn)換器評估板上，具體條件如下：

　　VIN = 12 V, VOUT = 1.05 V, VDRIVE = 5.0V, fsw = 300 kHz, and IOUT max. = 15 A

　　效率是在整個負載范圍內(nèi)測量的。15A時，效率是87%，測出的器件外殼溫度低于70℃。峰值效率高于91.5%。在電子系統(tǒng)中，這樣的性能可減小功率損耗，同時還可實現(xiàn)小尺寸的設(shè)計。

　　6.0mmx3.7mm外形尺寸的功率雙片封裝是MOSFET封裝技術(shù)的一項重要進步。這種封裝使工程師能夠改進、縮小和簡化設(shè)計，同時保持現(xiàn)在消費電子產(chǎn)品所需的高標準和性能。