安森美半導(dǎo)體在下一代SoC中應(yīng)用高壓標準單元技術(shù)

　　基于這些因素，從事這類項目的任何人都應(yīng)當與在高壓應(yīng)用方面擁有豐富經(jīng)驗、并能夠提供針對此目的優(yōu)化的創(chuàng)新型工藝技術(shù)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合作。不采取這種舉措可能產(chǎn)生的結(jié)果是生產(chǎn)的系統(tǒng)會不符合性能及長遠性方面的目標。

　　安森美半導(dǎo)體開發(fā)的第三代I3TXX智能功率技術(shù)是一種使用0.35 µm BCD技術(shù)的高壓平臺，針對的是前沿的汽車、軍事、醫(yī)療及工業(yè)應(yīng)用要求的高壓混合信號系統(tǒng)設(shè)計。這平臺包含3.3 V門氧化物，且這平臺的某些技術(shù)變異版本中還具備雙門18 V能力。這平臺還提供不同的隔離機制，包括P溝道沉降(P-sinker)、深阱及工作電壓達62 V的深溝槽隔離。這技術(shù)系列提供豐富選擇的基本IP。結(jié)溫度范圍為-40℃至150℃，最高可承受175℃。

　　安森美半導(dǎo)體的ONC18工藝是一種低成本、符合業(yè)界標準的0.18 µm CMOS技術(shù)，現(xiàn)在支持高達100 V電壓工作。這具有完整特性的工藝包含1.8 V/3.3 V雙門I/O、額定值及大容值的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容、電阻及六層金屬構(gòu)造。這工藝的結(jié)溫度范圍為-55℃至125℃, 最高可承受150℃。ONC18工藝非常適合用于開發(fā)結(jié)合了數(shù)字與混合信號功能的低功率、高集成度電路，能夠創(chuàng)建包含高達1,000萬邏輯門的ASIC。它能支持高達1.1 Mb同步單端口及512 kb雙端口SRAM、或1.1 Mb高密度、低泄漏過孔(VIA)可編程只讀存儲器(ROM)的存儲器能力。還提供EEPROM用于模擬微調(diào)或高達8kB的程序或數(shù)據(jù)存儲器。

　　通過使用基于這類模塊化技術(shù)平臺的方法，有可能充分利用原打算用于較低壓工藝的現(xiàn)有IP，因而將工程設(shè)計負擔減至最低。這表示能在同一塊芯片上應(yīng)用高壓及低功率功能，而其適宜性獲得了證實。

　　本文介紹的高壓標準單元方法使工程團隊能夠降低使用較高電壓的設(shè)計的相關(guān)風險。因此，所建議設(shè)計的可靠性、性能基準及特性范圍將符合期望，并證實所作投資的恰當性。