安森美半導體在下一代SoC中應用高壓標準單元技術

　　有關高壓技術的顧慮

　　雖然高壓技術在系統性能方面提供明顯優勢，但在選擇這條路線之前，必須顧及多方面的問題。期望使用基于更小幾何尺寸高壓半導體工藝的專用集成電路(ASIC)的工程團隊，應當首先考慮高壓工藝對其系統設計有效性會有的影響。

　　1.系統可靠性及工作壽命：至關重要的是，相關工程師完全清楚他們的系統處在高壓域內的哪個時期。在此基礎上，就有可能評估利用更高電壓電平是否可行，或者更高電壓是否會大幅影響系統的長期工作。

　　2.技術成本：雙極CMOS-DMOS(BCD)工藝的應用成本非常高昂，因此未經慎重考慮不應采用這種工藝。應當事先恰當分析提議的系統，因為有可能存在潛在的更適合及成本更低的方案用于這特殊任務。使用多裸片方法而不是嘗試將所有功能都集成到單片硅片上，可能會被證實更為適宜。

　　3.靜電放電(ESD)問題：由于涉及高壓，就存在暴露在ESD下的內在風險-高壓領域事實上就存在ESD風險。而且，很可能需要這些條件下的知識產權(IP)合格認證，從而確保這IP不會被證實易受ESD損傷。

　　4.散熱：為了理解及減輕芯片產生的較高的熱量等級，明顯需要對器件的裸片及封裝進行熱建模，并使用先進的熱增強封裝技術。

　　5.劃分芯片的低壓與高壓部分：根據同一個硅襯底上存在的電壓電平，高壓隔離部分可能要求占用一定量的硅襯底面積。要將空間浪費減至最小，恰當地對不同電壓域的電路進行布局規劃(floor-planning)至關重要。

　　6.閂鎖問題：有較大的驅動器工作時，根據負載情況，這類系統中可能經常有大量過沖及振鈴問題。必須著力保護芯片上的這薄門氧化物，使工作壽命不縮短。

　　7.安全工作區(SOA)建模：設計人員在創建高壓模擬電路時，需要知道晶體管在什么時候面臨擊穿點的壓力。有鑒于此，晶體管模型中包含在仿真期間會提醒設計人員從而降低風險的標記(flag)至關重要。

　　8.帶寬問題：由于涉及大的電容性負載以及事實上更高頻的高壓芯片設計需要更薄的門氧化物，系統中可能存在潛在的速度限制問題。需要弄清楚這些限制對總體性能是否有不利影響。

　　9.溫度問題。系統設計針對的是環境嚴格的應用(如汽車、工業等)時，也需要通盤考慮溫度可能對系統性能的影響。

　　10.理解設計的高壓要求：某些時候，最佳方案并不是全集成方案，高壓元件事實上應當位于片外。理解設計的高壓要求，就使系統架構師和他們的設計團隊能夠作出恰當的決策，能夠為客戶提供最佳的總體方案。