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          IBM再創(chuàng)奇跡!碳納米管邁出取代硅第一步

          —— 可以替代傳統(tǒng)芯片中的硅從而更深入地推進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝
          作者: 時間:2012-10-29 來源:網(wǎng)易科技 收藏

            藍(lán)色巨人的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力:歷史上第一次,使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝,將一萬多個打造的精確地放置在了一顆芯片內(nèi),并通過了可行性測試。多年來,人們一直期望找到一種新的材料,可以替代傳統(tǒng)芯片中的硅,從而更深入地推進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝,獲得更小、更快、更強(qiáng)的計算機(jī)芯片,則邁出了用在此領(lǐng)域投入商業(yè)化應(yīng)用的第一步。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/138262.htm

            作為一種半導(dǎo)體材料,有著很多優(yōu)于硅的天然屬性,特別適合在幾千個原子的尺度上建造納米級,其中的電子也可以比硅更輕松地轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)傳輸,納米管的形狀也是在原子尺度上組成晶體管的上佳之選。

            的成果證明了,人們可以在預(yù)定的基底位置上用大量的碳納米管晶體管蝕刻集成電路,其中隔離半導(dǎo)體納米管、在晶圓上放置高密度碳材料設(shè)備尤為關(guān)鍵,因為最終商業(yè)性芯片是需要集成數(shù)以幾十億晶體管的。

            在此之前,科學(xué)家們只能同時放置最多幾百個碳納米管,遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法投入商業(yè)化。IBM則利用離子交換化學(xué)理論研究出了一種全新的方法,能夠精確、可控地在基底上按順序放置大量的碳納米管,密度達(dá)到了每平方厘米大約十億個,比之前的成果提高了兩個數(shù)量級。

            IBM首先給碳納米管涂上一種表面活性劑(想象成使之更易溶于水的“肥皂”),然后用化學(xué)處理過的氧化鉿(HfO2)和二氧化硅(SiO2)制作基底,其中溝槽部分使用氧化鉿,再將基底放到碳納米管溶液里,納米管就會通過化學(xué)鍵附著到氧化鉿溝槽里,而基底的其他部分仍然是“干凈”的,最終得以在單個芯片上制造上萬個晶體管。

            由于這種方法兼容標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝,大規(guī)模拓展和測試也更加簡單。

            當(dāng)然了,這仍然是萬里長征的第一步,碳納米管究竟何時能夠取代硅,只能慢慢期待了。



          關(guān)鍵詞: IBM 晶體管 碳納米管

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