Alchimer 與 CEA-Leti 簽署協(xié)作合約

　　以評估高深寬比TSV 應用的金屬化制程

　　濕式納米薄膜沉積工藝能夠以低持有成本提供20:1深寬比TSV

　　3D 整合正朝著中段鉆孔(via middle approach)的做法發(fā)展，即在前端工藝之后，但卻在堆疊之前形成TSV。一些應用正處于研發(fā)階段，導致TSV技術(shù)的限制和不同規(guī)格。 Alchimer 的技術(shù)顯示出突破現(xiàn)有障礙，實現(xiàn)高深寬比TSV 的潛力。此次協(xié)作將評估其技術(shù)的潛力及其大批量生產(chǎn)的適用性。

　　Alchimer 的執(zhí)行長Bruno Morel 表示：「目前的技術(shù)，例如PECVD 隔離及iPVD 金屬化，存在性能限制，會將可實現(xiàn)的TSV 限制在10:1 的深寬比。我們的3D TSV 產(chǎn)品已明確證明，其能夠以遠遠低于目前方法的成本提供20:1 的深寬比?，F(xiàn)在關(guān)鍵是要驗證該產(chǎn)品對于300mm 大批量生產(chǎn)的充分潛力，并研究其與整體3D 整合制程的相容性。Leti 領(lǐng)先的3D 專業(yè)技術(shù)和世界一流的基礎(chǔ)建設將使我們能夠做到這一點。」

　　Leti 的硅技術(shù)部主管Fabrice Geiger 補充說：「與Alchimer 協(xié)作完全符合我們?yōu)闃I(yè)界提供創(chuàng)新解決方案的策略。Alchimer 的eG 技術(shù)是大有前途且具有成本效益的突破性解決方案，可以應對未來3D TSV整合的挑戰(zhàn)。透過此次協(xié)作，Alchimer 公司將有機會獲得Leti 在3D TSV 整合領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)及其世界一流的300mm 3D 平臺能力?！?/p>

　　eG 技術(shù)建立在表面化學配方與工藝基礎(chǔ)之上。它應用于導體及半導體表面，在特定前體分子與表面之間的原位化學反應的作用下，使各種材料的薄涂層能夠自我定向生長。此工藝能夠?qū)崿F(xiàn)保形、階梯覆蓋與純度的結(jié)合，這是干式制程所無法匹敵的。

　　Alchimer, SA 宣布與法國研究機構(gòu)CEA-Leti 達成協(xié)作合約，以評估和實施Alchimer為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專案將為隔離層、阻擋層和晶種層評估Alchimer 的Electrografting (eG™) 和Chemicalgrafting (cG™) 制程。 Alchimer 的濕式沉積工藝已經(jīng)證明，因其無論通過形貌、直徑還是深度均能以保形方式涂覆，所以可以實現(xiàn)20:1 深寬比的硅通孔(TSV)。