解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié) 作者: 時(shí)間:2012-05-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢(xún) 收藏 圖2:16Gbit閃存的多晶硅電容結(jié)構(gòu),圖中顯示了低位板接頭。IMFT的4G、16Gbit NAND閃存圖3:IMFT的16Gbit MLC閃存的金屬層2和層3采用銅雙鑲嵌工藝,金屬層1采用鎢雙鑲嵌工藝 上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)
評(píng)論