利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上?；旧?，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方式生長在藍(lán)寶石基板（Sapphire SubSTrate）上，由于磊晶GaN與底部藍(lán)寶石基板的晶格常數(shù)（Lattice Constant）及熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermo Expansion; CTE）相差極大，所以會(huì)產(chǎn)生高密度線差排（Thread DislocaTIon）達(dá)108~1010 / cm2,此種高密度線差排則會(huì)限制了GaN LED的發(fā)光效率。

此外，在HB-LED結(jié)構(gòu)中，除了主動(dòng)層（Active Region）及其他層會(huì)吸收光之外，另外必須注意的就是半導(dǎo)體的高折射系數(shù)（High Refractive Index），這將使得LED所產(chǎn)生的光受到局限（Trapped Light）。以圖1來進(jìn)行說明，從主動(dòng)區(qū)所發(fā)射的光線在到達(dá)半導(dǎo)體與周圍空氣之界面時(shí)，如果光的入射角大于逃逸角錐（Escape Cone）之臨界角（Critical Angle;αc）時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生全內(nèi)反射（Total Internal Reflection）；對(duì)于高折射系數(shù)之半導(dǎo)體而言，其臨界角都非常小，當(dāng)折射系數(shù)為3.3時(shí)，其全內(nèi)反射角則只有17o,所以大部份從主動(dòng)區(qū)所發(fā)射的光線，將被局限（Trapped）于半導(dǎo)體內(nèi)部，這種被局限的光有可能會(huì)被較厚的基板所吸收。此外，由于基板之電子與電洞對(duì)，會(huì)因基板品質(zhì)不良或效率較低，導(dǎo)致有較大機(jī)率產(chǎn)生非輻射復(fù)回（Recombine Non-RadiativELy），進(jìn)而降低LED效率。所以如何從半導(dǎo)體之主動(dòng)區(qū)萃取光源，以進(jìn)而增加光萃取效率（Light Extraction Efficiency），乃成為各LED制造商最重要的努力目標(biāo)。

目前有兩種方法可增加LED光之萃取效率：（1）第一種方法是在LED磊晶前，進(jìn)行藍(lán)寶石基板的蝕刻圖形化（Pattern Sapphire Substrate; PSS）；（2）第二種方法是在LED磊晶后，進(jìn)行藍(lán)寶石基板的側(cè)邊蝕刻（Sapphire Sidewall Etching; SSE），以及基板背面粗糙化（Sapphire Backside Roughing; SBR）。本文將探討如何利用高溫磷酸濕式化學(xué)蝕刻技術(shù)，來達(dá)到增加LED光萃取效率之目的。此外，針對(duì)LED生產(chǎn)線之高產(chǎn)能與高良率需求時(shí)，在工藝系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作上必須考慮到哪些因數(shù)，亦將進(jìn)行詳細(xì)探討，以期達(dá)到增加LED光萃取效率之目的。

圖1、從主動(dòng)區(qū)所發(fā)射的光線在到達(dá)半導(dǎo)體與周圍空氣之界面時(shí)，如果光的入射角大于臨界角（αc）時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生全內(nèi)反射。

磊晶前藍(lán)寶石基板之蝕刻圖形化（PPS）工藝

藍(lán)寶石基板蝕刻圖形化（PPS）可以有效增加光的萃取效率，因?yàn)榻逵苫灞砻鎺缀螆D形之變化，可以改變LED的散射機(jī)制，或?qū)⑸⑸涔鈱?dǎo)引至LED內(nèi)部，進(jìn)而由逃逸角錐中穿出。目前使用單步驟無光罩乾式蝕刻技術(shù)（Maskless Dry Etching）來加工藍(lán)寶石（Sapphire）基板，雖然可以改善內(nèi)部量子效率（Internal Quantum Efficiency）和光萃取率（Light Extraction Efficiency），然而由于藍(lán)寶石基板表面非常堅(jiān)硬，乾式蝕刻會(huì)損傷藍(lán)寶石表面，使得線差排（Thread Dislocation）由基板逐漸延伸到頂端的GaN磊晶層，因而影響到LED之磊晶品質(zhì)，所以一般都傾向使用濕式化學(xué)蝕刻方式。有關(guān)藍(lán)寶石基板之濕式化學(xué)蝕刻圖形化，以及LED之前段工藝流程，說明如下：

A.首先利用黃光微影工藝在藍(lán)寶石基板上制作出所需的圖案。

B.利用電漿輔助化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PE-CVD）系統(tǒng)在藍(lán)寶石基板上方沉積SiO2,進(jìn)行光組去除后，即可形成間隔3μm的陣列圖案。

C.利用SiO2當(dāng)作蝕刻遮罩層，在溫度280℃的高溫磷酸與硫酸混合液中蝕刻藍(lán)寶石基板，以形成圖案化結(jié)構(gòu)。圖2為使用濕式化學(xué)蝕刻藍(lán)寶石基板（PSS）后之橫截面示意圖；圖3為光學(xué)顯微鏡照片。

D.使用MO-CVD生長GaN-LED于蝕刻圖案化之藍(lán)寶石基板C（0001）面上，GaN-LED結(jié)構(gòu)由下而上，包括：GaN成核層、未摻雜的GaN層、硅摻雜的N-type GaN層、MQW層及P-type GaN層。

E.使用標(biāo)準(zhǔn)微影技術(shù)及乾式蝕刻來蝕刻部份的P-type GaN層，以露出N-type GaN層，進(jìn)而定義發(fā)光區(qū)域及電極。

F.沉積ITO透明導(dǎo)電層，接著沉積Cr/Au金屬層，在200℃氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行合金化，以制作P電極與N電極。圖4為GaN LED之前段工藝流程圖；圖5為經(jīng)過化學(xué)濕式蝕刻圖形化藍(lán)寶石基板（PSS），接著生長GaN磊晶層的LED結(jié)構(gòu)圖。

圖2、濕式化學(xué)蝕刻藍(lán)寶石基板后（PSS）之橫截面示意圖。

圖3、濕式化學(xué)蝕刻藍(lán)寶石基板后（PSS）之光學(xué)顯微鏡照片。

圖4、GaN LED前段工藝流程圖

圖5、濕式蝕刻圖形化藍(lán)寶石基板后，接著生長GaN磊晶層的LED結(jié)構(gòu).

如圖6所示，經(jīng)濕式化學(xué)蝕刻圖形化之藍(lán)寶石基板，基于表面晶格特性，所以會(huì)被蝕刻出呈57o傾斜的{1-102}R面（R Plane），此種傾斜R面可以大大地增加光的萃取效率。Lee等人利用濕式蝕刻圖形化藍(lán)寶石基板制作GaN LED并*估其效能，圖7為傳統(tǒng)LED和PPS LED的電流-輸出光功率曲線之關(guān)系圖，在20mA操作電壓下，傳統(tǒng)LED和PPS LED的輸出功率分別為7.8和9 mW,PPS LED的輸出功率為傳統(tǒng)LED的1.15~1.3倍。此外，在20mA操作電壓下，傳統(tǒng)LED和PPS LED的外部量子效率（External Quantum Efficiency）分別為14.2%和1*%,PPS LED的外部量子效率也較傳統(tǒng)LED高1.15倍。因此PPS技術(shù)不只利用藍(lán)寶石基板的特殊幾何結(jié)構(gòu)，將光導(dǎo)引至逃逸角錐（Escape Cone）進(jìn)而發(fā)射出去，以增加LED的外部量子效率外，濕式蝕刻PPS結(jié)構(gòu)也可降低Sapphire基板之差排缺陷密度，以進(jìn)而提高GaN的磊晶品質(zhì)[3, 4, 5].