耗盡型工藝實(shí)現(xiàn)鋰電池充電保護(hù)芯片的設(shè)計(jì)

　　本文從低功耗、低成本、寬工作電壓范圍等考慮， 提出基于耗盡型工藝的獨(dú)特設(shè)計(jì)方法。

　　基準(zhǔn)電壓源電路、過(guò)充過(guò)放遲滯電路、0 V 充電禁止電路、振蕩器電路在整個(gè)芯片中起到關(guān)鍵的作用。其中多處的基準(zhǔn)電壓源電路分別為各比較器提供合適的參考電壓和為振蕩器提供合適的起振電壓， 并且使比較器和振蕩器工作在弱反型區(qū)。此處不對(duì)各基準(zhǔn)電壓源的具體數(shù)值單獨(dú)分析， 只對(duì)其原理作詳細(xì)的分析。

2.1 基準(zhǔn)電壓源電路

　　傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓源電路由帶隙基準(zhǔn)電路、帶隙基準(zhǔn)啟動(dòng)電路、比較器電路和電阻分壓網(wǎng)絡(luò)組成。

　　但本文的電源電壓有時(shí)工作在2 V, 此時(shí)傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路由于電源電壓太低而無(wú)法工作在正常的區(qū)域； 整個(gè)片子要求的功耗非常小， 若采用傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路功耗會(huì)過(guò)大。本文提出了更有效的辦法， 用耗盡型工藝取代了原始的BiCMOS 工藝。

　　電路如圖2 所示，M84 為耗盡型管子， 其閾值電壓是可調(diào)的。在版圖設(shè)計(jì)中M84 單獨(dú)設(shè)計(jì)在一個(gè)隔離層中， 避免其他器件的干擾。

　　該電路是具有負(fù)反饋功能的基準(zhǔn)電路，產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓Vbd、Vb1、V b2.因?yàn)殡娫丛诜钦Ｇ闆r下波動(dòng)范圍很大， 所以電容C 的作用是使電路對(duì)電源波動(dòng)太大時(shí)不敏感； SD 是電路工作的使能端， 低電平有效； R22、R21、R25 構(gòu)成負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)， R23、R24 構(gòu)成分壓電路。

　　當(dāng)耗盡型MOS 管M84 工作在線性區(qū)時(shí)， 由于VGS84=0, 則M84 為一個(gè)電阻， M81 和M82 將處于飽和區(qū)工作， 輸出電壓可以負(fù)反饋回來(lái)從而穩(wěn)定輸出。

　　其推導(dǎo)公式為：

當(dāng)耗盡型MOS 管M84 工作在飽和區(qū)時(shí)， VGS84=0,M84 為一個(gè)恒流源， 所以VGS82 恒定， 即Vbd 不變，從而輸出Vb1、Vb2 也保持不變。其中Vbd、Vb1、Vb2分別為過(guò)充電、過(guò)放電比較器提供基準(zhǔn)電壓， 并且為延時(shí)產(chǎn)生電路提供偏置電壓。其推導(dǎo)公式為：

　　要使式（ 7） 等于式（ 10） , 即無(wú)論M84 工作在什么區(qū)域VGS82 都不變， 則：

　　所以可以通過(guò)調(diào)節(jié)M84 和M82 的寬長(zhǎng)比（W/L） 使之滿足式（ 11） , 使VGS82 保持恒定； 通過(guò)調(diào)小管子的閾值電壓（ 調(diào)節(jié)管子的摻雜濃度） 來(lái)減小基準(zhǔn)電壓源的電流從而減小功耗。采用0.6 μm、n 阱的CMOS 工藝在Hspice 中仿真的結(jié)果如圖3 所示。