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電源控制芯片中的過流保護(hù)設(shè)計

作者：時間：2011-08-15 來源：網(wǎng)絡(luò)

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本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/178755.htm

　　圖2 是實現(xiàn)上述功能的電路框架圖，由過流比較模塊、控制邏輯等組成。

圖2 過流保護(hù)電路框架

圖2 過流保護(hù)電路框架

　2 電路設(shè)計

圖9 控制邏輯電路的仿真

圖9 控制邏輯電路的仿真

　　閉環(huán)控制電路的整體仿真

　　如圖10 所示，圖3 電路和外接LDMOS 形成一個閉環(huán)控制系統(tǒng)。仿真結(jié)果如圖11 所示：在沒有發(fā)生過流時，柵極電壓的占空比最大；有過流發(fā)生時，過流信號OverCurrent 將柵極電壓強(qiáng)制設(shè)置為低電平，關(guān)斷LDMOS，從而達(dá)到了過流保護(hù)效果。

圖10 閉環(huán)總體仿真原理圖

圖10 閉環(huán)總體仿真原理圖

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