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電源控制芯片中的過流保護設(shè)計

作者：時間：2011-08-15 來源：網(wǎng)絡(luò)

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本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/178755.htm

圖11 閉環(huán)總體仿真波形

　　3 結(jié)論

　　本文闡述了幾種過流檢測方法，分析了每種方法的優(yōu)缺點。設(shè)計了一款閉環(huán)控制型的過流保護電路，它采用直接檢測LDMOS 管漏端電壓的方法，可以克服采用電阻檢測時消耗能量，芯片容易發(fā)熱的缺點，同時提高了開關(guān)電源DC/DC 的能量轉(zhuǎn)換效率。另外，采取有比采樣電路設(shè)計，克服了工藝偏差的影響，提高了采樣精度。

　　基于3μm高壓BCD 工藝，我們在Cadence 設(shè)計環(huán)境中利用電路模擬器Spectre 對該控制電路進行了分模塊和整體模塊的仿真，結(jié)果表明該電路可以較好地實現(xiàn)實時過流保護功能。

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