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          新內存芯片材料實現(xiàn)速度高于閃存千倍

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          作者: 時間:2006-12-13 來源: 收藏
            北京時間12月12日消息,據(jù)國外媒體報道,由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團隊近日表示,已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內存的材料;與當前常用的相比,相變內存運行速度高于前者500~1000倍,能耗也將大幅度降低。 
            據(jù)悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學部門資深經理斯派克


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