ICCAD上看燦芯半導(dǎo)體如何成為設(shè)計(jì)服務(wù)業(yè)的排頭兵

　　2013年10月10日“中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2013年會(huì)暨合肥集成電路創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在合肥盛大開幕,云集了眾多業(yè)界知名的晶圓代工廠、EDA、IP及IC設(shè)計(jì)產(chǎn)商，燦芯半導(dǎo)體仍然與投資方中芯國(guó)際聯(lián)袂參展，展示了其先進(jìn)技術(shù)的最新進(jìn)展和成功案例。

　　自從2010年中國(guó)大陸第一大芯片代工廠中芯國(guó)際投資燦芯半導(dǎo)體后，燦芯半導(dǎo)體所有工藝產(chǎn)品都是與其合作的。中芯國(guó)際擁有世界先進(jìn)的制造工藝、穩(wěn)定的生產(chǎn)線、充足的產(chǎn)能和高品質(zhì)的良率，再加上燦芯半導(dǎo)體的高端設(shè)計(jì)能力和定制化的IP，客戶在中國(guó)就可以享受到一站式的、高性價(jià)比的先進(jìn)制程服務(wù)。

　　在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)可以看到燦芯半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝制程項(xiàng)目比重在逐年攀升，特別是在40納米工藝上的項(xiàng)目發(fā)展迅速，已成功tape out超過十個(gè)基于ARM Cortex Ax核的40納米項(xiàng)目，涵蓋了A5、A7、A9，單核、雙核到四核，積累了豐富的先進(jìn)技術(shù)設(shè)計(jì)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。與Cadence在DDR上的合作極大地增強(qiáng)了燦芯半導(dǎo)體在IP上的核心競(jìng)爭(zhēng)力，種類涉及DDR2、DDR3、LPDDR1、LPDDR2，支持中芯國(guó)際的130nm/110nm、65nm、55nm、和40nm工藝,可以為客戶提供客制化的軟核DDR PHY的固化IP及LPDDR2/DDR2/DDR3 combo硬核PHY。

　　除此之外，燦芯半導(dǎo)體在低功耗、高性能產(chǎn)品的設(shè)計(jì)上頗有建樹，擁有一系列完整的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)如clock gating、power gating、multi-Vt、DVFS、power-switch、voltage island等，能有效地降低客戶產(chǎn)品的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗。配合高端芯片的封裝需求，燦芯半導(dǎo)體通過對(duì)KGD的選擇、相應(yīng)SoC芯片設(shè)計(jì)、封裝與基板設(shè)計(jì)和測(cè)試方案的確定，可以提供一系列完整的SiP封裝服務(wù)。

　　燦芯半導(dǎo)體研發(fā)部副總裁楊展悌教授指出：“目前業(yè)界主流的Cortex A系列SoC解決方案將向更先進(jìn)的40納米、28納米工藝節(jié)點(diǎn)和多核的方向發(fā)展，A7多核方案正逐漸取代A9核在智能手機(jī)SoC上的應(yīng)用。燦芯半導(dǎo)體順應(yīng)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，在過去一年中和客戶密切合作成功開發(fā)多款40納米的ARM Cortex A系列的SoC芯片，性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，如雙核的Cortex A9測(cè)試結(jié)果達(dá)到1.5GHz。我們的目標(biāo)是在2014年推出28納米四核解決方案。”

　　“燦芯半導(dǎo)體今年?duì)I收的主要增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自于中國(guó)大陸和美國(guó)，得益于我們與中芯國(guó)際的緊密合作關(guān)系以及高端技術(shù)領(lǐng)域項(xiàng)目比重的增加”，燦芯半導(dǎo)體市場(chǎng)與銷售副總裁徐滔先生表示，“燦芯半導(dǎo)體正處于一個(gè)健康成長(zhǎng)的青春期，隨著對(duì)先進(jìn)技術(shù)持續(xù)不斷地投入，我們希望能為中國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)良性循環(huán)提供強(qiáng)有力的促進(jìn)作用。”