FLEX 10K系列EAD的應(yīng)用

摘要：FLEX 10K是ALTERA公司研制的第一個嵌入式的PLD可編程邏輯器件系列。它具有高密度、低成本、低功率等特點，利用FLEX 10K系列CPLD可編程邏輯器件的EAB可在系統(tǒng)中實現(xiàn)邏輯功能和存貯功能，文中介紹了EAB的幾個應(yīng)用實例，同時給出了采用VHDL語言編寫的VHD的文件及其具體代碼。

關(guān)鍵詞：CPLD 嵌入式陣列塊(EAB) FIFO 雙端口RAM VHDL

1 概述 FLEX 10K是Altera公司研制的第一個嵌入式的PLD，它具有高密度、低成本、低功率等特點，是當(dāng)今altera CPLD中應(yīng)用前景最好的器件系列之一。

它采用了重復(fù)可構(gòu)造的CMOS SRAM工藝，并把連續(xù)的快速通道互連與獨特的嵌入式陣列結(jié)構(gòu)相結(jié)合，同時可結(jié)合眾多可編程器件來完成普通門陣列的宏功能。每一個FLEX 10K器件均包括一個嵌入式陣列和一個邏輯陣列，因而設(shè)計人員可輕松地開發(fā)集存貯器、數(shù)字信號處理器及特殊邏輯等強大功能于一身的芯片。 EAB(Embedded Array Blocks)的概念源于門陣列的嵌入式功能，為了使復(fù)雜的功能在盡可能小的硅片上得以實現(xiàn)，通常需把定制的硅片放在門陣列基片之上。Altera公司首先把這一技術(shù)應(yīng)用于FLEX 10K器件系列。 FLEX 10K中的嵌入式陣列由一系列具有實現(xiàn)邏輯功能和存貯功能的FAB組成。EAB是在輸入、輸出口上帶有寄存器的RAM塊，利用它可以非常方便地實現(xiàn)一些規(guī)模不太大的ROM、RAM、雙端口RAM和FIFO等功能。

2 EAB的結(jié)構(gòu)

每個FLEX 10K中的EAB均含有2048bit的RAM。另外，每個EAB單元中還包括數(shù)據(jù)區(qū)、總線和讀/寫控制等幾部分。圖1所示為EAB單元的內(nèi)都結(jié)構(gòu)。 數(shù)據(jù)區(qū)是EAB的核心部分，每個EAB包含2048bit的RAM，同時又可根據(jù)數(shù)據(jù)線/地址線的不同設(shè)置將其寬度調(diào)整為2048×1bit，1024×2bit，512×4bit，256×8bit等。 總線是指EAB中所包括的三條總線，即輸入數(shù)據(jù)總線、地址總線和輸出數(shù)據(jù)總線。其中輸入數(shù)據(jù)總線可以配制成8bit、4bit、2bit或1bit位寬;地址總線同數(shù)據(jù)總線相適應(yīng)，具有8bit、9bit、10bit或11bit位寬;而輸出數(shù)據(jù)總線則與輸入總線相對應(yīng)，這三條總線都設(shè)計有同步/異步兩種工作方式。 第三部分為讀/寫控制部分。當(dāng)EAB用于異步RAM電路時，必須外加RAM寫使能信號WE，以保證數(shù)據(jù)和地址信號滿足其時序要求，而當(dāng)EAB用作同步RAM時，它可以產(chǎn)生相對其全局時鐘信號的WE信號。EAB的RAM與EPGA中的分布式RAM不同，F(xiàn)LEX 10k EAB能夠信號可預(yù)測的定時關(guān)系，而且EAB的寫使能信號(WE)即可與輸入時鐘同步工作，也可以異步工作。另外，EAB還包含用于同步設(shè)計的輸入寄存器、輸出寄存器和地址寄存器。EAB的輸出可以是寄存器輸出，也可以是組合輸出，EAB RAM的大小很靈活，因此，它既可以配置成256×8、512×4，也可以配置成1024×2或2048×1。FLEX 10K器件的EAB資源如表1所列。EAB的RAM資源較為豐富，可用來設(shè)計RAM、FIFO及雙端口RAM等許多應(yīng)用電路。

FLEX 1K器件EAB資源 器件型號 EAB的個數(shù) EPF10K10 EPF10K10A 3 EPF10K20 6 EPF10K30 EPF10K30A EPF10K30B 6 EPF10K40 8 EPF10K50 EPF10K50V EPF10K50B 10 EPF10K70 9 EPF10K100 EPF10K100A EPF10K100B 12 EPF10K130V EPF10K130B 16

3 FLEX 10K的應(yīng)用

3.1 RAM的設(shè)計 RAM的設(shè)計分同步RAM或異步RAM，當(dāng)設(shè)計同步RAM時，DATA信號和ADDRESS信號應(yīng)在EAB中鎖存。包括WE在內(nèi)，所有信號均應(yīng)在EAB內(nèi)完成，這樣可以排除一些可能破壞數(shù)據(jù)時序的潛在故障。當(dāng)WE信號被鎖定為高時，EAB內(nèi)部電路會產(chǎn)生一個與DATA信號和ADDRESS信號的建立和保持時間相匹配的寫脈沖。

而在用異步RAM方式時，一定要遵從以下幾個原則：

(1)WE信號一定要避免那些可能會無意覆蓋RAM區(qū)數(shù)據(jù)的時序。

(2)WE信號的建立與保持時間一定要與DATA和ADDRESS信號相適應(yīng)。

(3)當(dāng)WE=1時，ADDRESS信號不能發(fā)生變化。由于FLEX 10K器件都有多個EAB，所以可由多個EAB來構(gòu)成所需要的RAM。 LPM(Library Of Parameterized Modules)是一個參數(shù)化的模塊庫，它是優(yōu)秀的版圖設(shè)計人員和軟件人員智慧的結(jié)晶。通過修改LPM器件的某些參數(shù)，可很容易地到達設(shè)計要求。下面的RAM(VHD)文件是一個寄存器輸入、寄存器輸出的1k×8RAMr VHDL設(shè)計代碼： RAM.VHD Library ieee; Use ieee,std_logic_1164.all; Library lpm; Use lpm.lpm-compONents.all; Entity LL is Generic (data-width:integer:=8;addr-width:interer:=10); Port (data:in std-logic-vector(data-width-1downto 0); addresss:in std-logic-vector(addr-width-1 downto 0)); End LL; Architcture RAM of LL is Begin U1:lpm-ram-dp Generic map (lpm-widthad=>addr-width,lmp-width=>data-width) Prot map(data=>data,address=>address,we q=q); End; 輸入 data[ ]: 數(shù)據(jù)輸入RAM address[ ]:地址輸入RAM we: 寫使能 inclock :同步輸入時鐘 outclock: 同步輸出時鐘 輸出 q[ ]： 數(shù)據(jù)輸出