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          基于FPGA的超級(jí)電容均壓及充放電設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-03-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:由于器單體性能參數(shù)的離散性,當(dāng)多個(gè)單體串聯(lián)組成電容器組時(shí),在過程中容易造成過充或過放現(xiàn)象,嚴(yán)重危害器的使用壽命。文中提出以為檢測(cè)、控制單元,對(duì)電容進(jìn)行有效地控制,防止過充或過放,提高器的循環(huán)使用次數(shù),降低不必要的能量消耗。
          關(guān)鍵詞:DC/DC變換;超級(jí)電容;串聯(lián)均壓

          超級(jí)電容是近年發(fā)展快速的一種大容量?jī)?chǔ)能器件,具有功率密度高、時(shí)間短、效率高、使用壽命長(zhǎng)、清潔環(huán)保等特點(diǎn)。超級(jí)電容具有90%以上的充放電效率,充放電電流可達(dá)數(shù)安培至數(shù)百安培,充放電壽命可達(dá)10萬次以上。在電動(dòng)汽車、UPS等產(chǎn)品上有很好的應(yīng)用前景。
          但是超級(jí)電容器參數(shù)存在離散性,即使是同一型號(hào)同一規(guī)格的超級(jí)電容器在其電壓、內(nèi)阻、容量等參數(shù)上都存在著不一致性,這是由制造過程中工藝和材質(zhì)不均造成的。而在使用中需要采用串聯(lián)的方式提高整體的輸出電壓,充電時(shí)大多采用先恒流后恒壓的充電方式,如圖1所示。充電前期采用恒流允電,當(dāng)電容電壓達(dá)到一定值后,即t0時(shí)刻,冉采用恒壓充電,因?yàn)槌?jí)電容器的離散性,各單體到達(dá)t0時(shí)刻的時(shí)間就會(huì)不同,如果直接進(jìn)行串聯(lián)充電可能會(huì)使某些單體過充,而某些單體又欠充,嚴(yán)重危害超級(jí)電容器的使用壽命,放電時(shí)同樣如此,會(huì)出現(xiàn)某些單體過放現(xiàn)象。因此保證各單體的均衡充放電,對(duì)有效發(fā)揮所儲(chǔ)存的能量有著非常重要的意義。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/190682.htm

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          1 均壓控制原理
          文中超級(jí)電容均壓部分采用逆變器和變壓器均壓技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
          如圖2所示,均壓電路由超級(jí)電容組、變壓器、逆變器和升壓斬波電路4部分組成。圖中的二極管起到反向保護(hù)作用。通過控制信號(hào)S1、S2、S3、S4即可實(shí)現(xiàn)電壓均衡,并可將電壓高的超級(jí)電容中的能量轉(zhuǎn)移到電壓低的超級(jí)電容中。

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          假設(shè)有N個(gè)超級(jí)電容串聯(lián),將串聯(lián)超級(jí)電容組兩端總電壓通過升壓斬波電路接到逆變器的輸入端,以補(bǔ)償MOSFET及續(xù)流二極管上的導(dǎo)通壓降,逆變器的輸出接到匝數(shù)比為N的降壓變壓器的高壓側(cè),則低壓側(cè)將產(chǎn)生振幅為N個(gè)超級(jí)電容單體電壓平均值的方波。以該方波作為電壓源再次對(duì)每個(gè)超級(jí)電容單體進(jìn)行充電。此時(shí)由于二極管的作用,只有單體電壓低于變壓器低壓側(cè)電壓值的超級(jí)電容才能進(jìn)行充電。逆變器工作一段時(shí)間以后,即可完成超級(jí)電容的均壓。
          升壓斬波電路的輸出電壓,即逆變器的輸入電壓Vi滿足:
          Vi=Vc+N*Vd+2Vs (1)
          式中:Vc為N個(gè)串聯(lián)超級(jí)電容兩端總電壓;Vd為續(xù)流二極管上的正向?qū)▔航?;Vs為MOSFET上的導(dǎo)通壓降。
          逆變部分采用5kHz的50%占空比的PWM波加入一定的死區(qū)時(shí)間來實(shí)現(xiàn),S1,S4采用同一組信號(hào)驅(qū)動(dòng),S2,S3采用另外一組信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
          升壓斬波電路的控制信號(hào)采用20kHz的PWM波。

          超級(jí)電容器相關(guān)文章:超級(jí)電容器原理



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          關(guān)鍵詞: FPGA 超級(jí)電容 充放電

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