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          基于FPGA的外部存儲器設計
          
						
          
				作者：
				時間：2011-08-17
				來源：網(wǎng)絡
				
				
				
				
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          1．2 FLASH存儲電路設計
           為了滿足模塊內(nèi)部在系統(tǒng)斷電時的數(shù)據(jù)保護，在模塊內(nèi)部選擇了FLASH存儲器，F(xiàn)LASH存儲器是一種非易失型存儲器，在該設計中主要用于存放一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。芯片的型號為：SST39VF3201-70-4C-EK。該芯片的主要特點有：3．3 V單電源供電，內(nèi)部進行編程和擦除操作；高可靠性，超過100年的數(shù)據(jù)保存能力，32 Mb的存儲容量；快速擦除和編程功能，支持扇區(qū)擦除、塊擦除和整個芯片擦除，扇區(qū)和塊擦除時間為18 ms，整個芯片擦除時間為40 ms；片內(nèi)產(chǎn)生Vpp編程電壓，實現(xiàn)自動讀寫時序。
           FPGA的引腳除電源、時鐘和復位以及幾個配置時鐘引腳外，其余引腳均可作為通用I／O使用，因此，與FLASH連接時，只需要FPGA的普通I／O引腳和FLASH的引腳相連即可，在實際編程過程中，要嚴格按照FLASH的工作時序給定正確的時序。注意，電源和接地引腳以及NC管腳不可連接在FPGA上。FLASH電路圖如圖2所示。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/191065.htm
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          關鍵詞：
            			            FPGA
                        外部存儲器
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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