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          基于ADS仿真的X波段二倍頻器設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-04-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:利用GaAsFET的非線性特性設(shè)計(jì)了一個(gè),輸入頻率為6.1~6.3 GHz,輸出頻率為12.2~12.6 GHz,帶寬400 MHz。在理論計(jì)算的基礎(chǔ)上,結(jié)合微波軟件對(duì)輸入匹配電路、輸出匹配電路和平行耦合帶通濾波器進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),最后通過S參數(shù)及諧波平衡得到的各項(xiàng)性能參數(shù)。結(jié)果表明,該設(shè)計(jì)完全滿足性能指標(biāo)要求。
          關(guān)鍵詞:;;匹配電路;帶通濾波器

          0 引言
          倍頻器作為基本的電子部件,被廣泛應(yīng)用于通信、雷達(dá)、導(dǎo)彈制導(dǎo)、頻率合成器等各種電子設(shè)備中。倍頻的實(shí)現(xiàn)均是以器件的非線性為基礎(chǔ)的,倍頻電路有效地提取所需的諧波,而將基波和不需要的諧波加以抑制。場(chǎng)效應(yīng)管(GaAsFET)有源倍頻器具有單向性及隔離度好,變頻損耗低的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)可以得到較高效率和較寬工作頻率,對(duì)輸入功率要求較低,噪聲小,溫度穩(wěn)定性高。
          本文介紹了一種基于GaAsFET的二倍頻器設(shè)計(jì)方法。設(shè)計(jì)時(shí)首先根據(jù)性能指標(biāo)要求選擇合適的有源器件,確定相應(yīng)的工作狀態(tài)、偏置條件及器件的穩(wěn)定狀態(tài),然后合理設(shè)計(jì)匹配、偏置及濾波電路,最后對(duì)整體電路進(jìn)行優(yōu)化。設(shè)計(jì)中采用微波仿真軟件對(duì)電路進(jìn)行CAD輔助設(shè)計(jì),并給出仿真結(jié)果。

          1 GaAsFET倍頻原理
          二倍頻器主要考慮的指標(biāo)為工作頻率、帶寬及變頻損耗,理論上可用各種非線性器件實(shí)現(xiàn)倍頻,實(shí)際常用二極管或三極管倍頻,因?yàn)榇藭r(shí)相對(duì)帶寬較窄,倍頻次數(shù)小。相對(duì)于二極管和雙極晶體管來講,采用場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)倍頻器的突出優(yōu)點(diǎn)是能在一個(gè)寬頻帶范圍內(nèi)獲得倍頻增益,并可在輸入和輸出端之間提供有效的隔離。在考慮成本及各項(xiàng)指標(biāo)要求后,決定采用變電阻類型的GaAsFET實(shí)現(xiàn),它具有變頻損耗低,隔離性好,電路穩(wěn)定,溫度特性好的優(yōu)點(diǎn)。為了在所要求的頻率上實(shí)現(xiàn)最小變頻損耗,偏置電路和匹配電路的設(shè)計(jì)非常重要。偏置電路的設(shè)計(jì)決定了輸出頻率中含所需頻率的諧波成分;匹配濾波電路的設(shè)計(jì)必須保證在獲得所需諧波分量最大的同時(shí),力求無用諧波分量及寄生參量功率達(dá)到最小,保證最大輸入/輸出功率和良好隔離。
          FET實(shí)現(xiàn)倍頻的原因是由于其非線性,主要來自以下幾個(gè)方面:
          (1)柵源和柵漏極非線性電容Cgs和Cgd是外加結(jié)電壓Vgs和Vgd的函數(shù)。
          (2)漏極電流Id限幅引起的非線性,即柵極偏置電壓接近柵極勢(shì)壘電壓φ,或接近夾斷電壓Vt時(shí),輸入激勵(lì)電壓Vgs瞬時(shí)低于Vt或瞬時(shí)正向電壓高于柵極二極管導(dǎo)通電壓時(shí),因截止限幅和飽和限幅作用引起Id的非線性。
          (3)Vgs-Id的非線性變換特性,如平方律特性等。
          根據(jù)FET特性可知,當(dāng)漏極輸出電阻較大時(shí),a.JPG,是典型的平方律特性。
          (4)輸出電導(dǎo)非線性。FET截止型倍頻器原理如圖1所示,提供合理的偏置電壓是非常重要的,它與輸出功率、效率和穩(wěn)定性都有著密不可分的關(guān)系。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/191252.htm

          b.JPG


          理論上雖然有諸多方法實(shí)現(xiàn)倍頻,但工程實(shí)踐表明對(duì)于GaAsFET,利用漏極電流Id限幅作用產(chǎn)生的豐富諧波可以實(shí)現(xiàn)高的倍頻增益,因此主要研究這種倍頻機(jī)理。與FET放大器理論相同,根據(jù)柵極偏壓的不同,倍頻器工作狀態(tài)可以分為A類、B類、AB類三種工作狀態(tài)。其中,A類工作時(shí)諧波幅度很小,且直流分量很大,幾乎占漏極飽和電流的一半多,故倍頻效率很低,不予采用;在B類、AB類工作時(shí)漏極輸出波形均含有比A類更多的諧波頻率分量,因而可采用此類電路實(shí)現(xiàn)高效率倍頻,其中AB類效率最高,但遺憾的是不能得到偶次諧波,且工作電流大,容易自激。為獲得高倍頻效率,此處采用B類倍頻。使柵極直流偏置電壓Ugg始終偏置于夾斷電壓Vt附近,利用管子的夾斷效應(yīng)使漏極電流Id為尖峰脈沖電流且含有豐富的諧波,此時(shí)可以將漏電流波形當(dāng)作半個(gè)余弦脈沖序列處理,如式(1)所示。
          c.JPG
          式中:Imax為漏極電流峰值;Vgmax,Vgmin分別為柵極飽和電壓和反向電壓峰值。
          從式(3)可知,當(dāng)n值增大時(shí),Imax減小,所以這種倍頻器不能用于高次倍頻,但完全滿足二倍頻。
          倍頻器的設(shè)計(jì)與放大器基本相同,不同的只是輸出以2ωo代替ωo實(shí)現(xiàn)。由于倍頻器輸出頻帶要求較窄,相對(duì)帶寬不到3.5%,輸入/輸出端采用短截諧振線來實(shí)現(xiàn)匹配和諧波抑制。設(shè)計(jì)的主要工作在于直流工作點(diǎn)的確定,輸入/輸出匹配電路的設(shè)計(jì)和輸入激勵(lì)電平的選擇。


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          關(guān)鍵詞: ADS 仿真 X波段 倍頻器

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