聯(lián)電、臺積電搶進高端制程 中芯、華力微進展落后

　　臺灣12吋廠火速卡位大陸先進制程的空缺，近期傳出聯(lián)電廈門12吋晶圓廠(聯(lián)芯)一箭雙雕，先后拿下展訊、聯(lián)發(fā)科40納米制程大訂單，且近期28納米移轉(zhuǎn)到廈門12吋廠后，此兩大IC設(shè)計大客戶也會陸續(xù)轉(zhuǎn)進28納米生產(chǎn)，與臺積電聯(lián)手在大陸筑起先進制程高墻，防堵中芯國際、華力微電子的28納米崛起!

　　大陸本土晶圓廠中芯國際、華力微電子等猛攻28納米先進制程，但進展卻持續(xù)落后，反而是臺積電、聯(lián)電近期聯(lián)手下了一盤好棋，前者用16納米FinFET卡位大陸最先進的技術(shù)地盤，后者以28納米技術(shù)補上大陸最缺的制程世代，透過雙方前后夾擊，守住大陸半導體市場的高端制程江山。

　　業(yè)界透露，大陸IC設(shè)計大廠海思在官方政策規(guī)劃下，被要求指標性的向中芯國際投片生產(chǎn)28納米制程，但中芯的高端28納米HKMG制程的良率一直不順，雙方變得進退維谷，也反應大陸當?shù)?8納米制程缺乏的窘境。而此時聯(lián)電的28納米轉(zhuǎn)移到廈門12吋廠生產(chǎn)，正好補上此需求的空缺。

　　同時，近期也傳出聯(lián)電廈門12吋廠成功一箭雙鵰，先后拿下展訊和聯(lián)發(fā)科的40納米制程大訂單，預計這兩家IC設(shè)計大客戶也陸續(xù)會轉(zhuǎn)進28納米制程。

　　聯(lián)電廈門12吋廠自2015年3月正式動土以來，創(chuàng)下僅20個月就開始量產(chǎn)的迅速紀錄，2016年11月宣布完工開幕，該廠是大陸華南首座12吋廠，總產(chǎn)能為單月5萬片，估計2017年底前，先投產(chǎn)約1.1萬片產(chǎn)能，以40納米制程為主。

　　聯(lián)電申請多時的28納米制程也成功獲得投審會核準，近期開始生產(chǎn)28納米的芯片;再者，臺積電南京12吋廠也快速動起來，預計2018年以16納米FinFET制程加入生產(chǎn)，同時也成立設(shè)計服務中心，該座12吋廠規(guī)劃的月產(chǎn)能是2萬片，近期已經(jīng)與眾多供應商接洽，希望能一同到南京設(shè)廠支持。

　　同時，臺積電在28納米、16納米、10納米和7納米制程之外，更規(guī)劃22納米和12納米等多個技術(shù)制程世代，以緊密的技術(shù)布局來鞏固已成功建立的先進制程技術(shù)地盤。

　　對照臺系半導體廠攻勢猛烈，大陸半導體目前最大的瓶頸在于兩個要素，核心技術(shù)和人才。雖然已經(jīng)頻頻找切入點突破，但預計在3~5年內(nèi)，臺灣半導體廠仍是具有絕大優(yōu)勢。

　　綜觀大陸半導體28納米發(fā)展，中芯研發(fā)28納米技術(shù)多年，雖然打入高通(Qualcomm)供應鏈，但尚未真正具有指標性的規(guī)模出貨量，加上高端技術(shù)無法突破，導致整個先進制程的進展十分緩慢，中芯2016年第4季的28納米營收比重僅3.5%，預計2017年底往比重10%的目標邁進。

　　再者，大陸另一家半導體廠華力微電子雖然與聯(lián)發(fā)科合作28納米的技術(shù)開發(fā)，但直至現(xiàn)在也一直未量產(chǎn)，華力微的第二座12吋晶圓廠預計全面朝28納米布局，目前各界持續(xù)密切觀察中。