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          晶圓級(jí)封裝: 熱機(jī)械失效模式和挑戰(zhàn)及整改建議

          作者: 時(shí)間:2017-08-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            概述

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201708/362885.htm

            我們可以考慮獨(dú)立封裝(圖6 [A])和安裝在主板上的封裝(圖6 [B]) 兩種封裝工藝。本文主要討論前者,讓讀者初步了解WLCSP封裝的特異性。

            BEoL層應(yīng)力如圖8所示。在這樣一個(gè)配置中,因?yàn)楹盖蚝屯鈬骷臒崤蛎浵禂?shù)失匹,每個(gè)焊接區(qū)都會(huì)發(fā)生類似的應(yīng)力問題。此外,在裸片外圍可以看到聚合物層邊緣的影響(見圖8中的箭頭)。因此,我們已開始懷疑聚合物、焊球和裸片邊緣的相互作用。需要指出的是,在這個(gè)層面,應(yīng)力的產(chǎn)生唯一原因是本地的熱膨脹失匹,而與封裝尺寸大小無(wú)關(guān)。

           

            圖8:BEoL區(qū)的S1 應(yīng)力分量(MPa) - 獨(dú)立配置(頂視圖 – 重點(diǎn)分析封裝角部)

            一旦組裝到主板上后,應(yīng)力區(qū)域特性接近在標(biāo)準(zhǔn)倒裝片配置上觀察到的應(yīng)力區(qū)域[10]。在最外層焊球區(qū)域觀察到應(yīng)力最大值,因?yàn)樽钔鈱雍盖虻街行渣c(diǎn)(DNP)(即封裝中心)的距離最遠(yuǎn)(圖9)。我們還觀察到,焊球下面的應(yīng)力分布受焊球至封裝中心的相對(duì)位置的影響。因此,壓縮力和拉伸力區(qū)域方向隨焊球位置不同而變化。

            圖9:BEoL區(qū)的SZ 應(yīng)力分量(MPa) - 組裝到主板上的封裝 (頂視圖)

            與獨(dú)立封裝相比,已焊接的焊球使焊盤受到更大的應(yīng)力。不過,無(wú)論封裝尺寸多大,裸片和聚會(huì)物邊緣受到的應(yīng)力都會(huì)保持不變。

            聚合物層

            聚合物邊緣可選用兩種設(shè)計(jì)策略,錐體或直接沉積方法,具體選用哪一種方法,取決于第二層聚合物止于第一層薄膜之前還是之后。我們從機(jī)械學(xué)角度評(píng)測(cè)兩個(gè)配置,在BEoL區(qū)域內(nèi),沿裸片對(duì)角線提取應(yīng)力值(圖10)。因?yàn)殛P(guān)注點(diǎn)放在了聚合物邊緣,所以圖中只給出了封裝的角部受力情況。如前文所述,在BEoL區(qū)能夠觀察到焊球的影響(見圖中的反復(fù)出現(xiàn)的圖形)。此外,正如我們所預(yù)想的,在聚合物邊緣發(fā)現(xiàn)了應(yīng)力最大值,不過,應(yīng)力的影響只限于這個(gè)區(qū)域。有限元分析顯示,與錐體沉積法相比,直接沉積法的應(yīng)力更高,這是因?yàn)榍罢哌吘壧幘酆衔锖穸容^大。兩種沉積方法導(dǎo)致厚度相差大約5% (圖10 (B))。

            圖10:[A] 直接配置和錐體配置的BEoL層和聚合物層應(yīng)力分布圖[B] BEoL棧周圍應(yīng)力變化(見應(yīng)力提取通道圖[A]上的灰箭頭) (獨(dú)立封裝配置)

            在決定了邊緣設(shè)計(jì)方法后,我們需要確定在BEoL棧上發(fā)生較低應(yīng)力的準(zhǔn)確位置。為此,我們測(cè)試了各種位置:平坦區(qū)(圖11 #1, #4)、密封環(huán)(圖11 #6)上方、鈍化拓?fù)涞撞坎煌恢?圖11 #2 #3 #5)。

            圖11:有聚合物的配置與無(wú)聚合物的配置之間的應(yīng)力變化。在SiN鈍化層內(nèi)提取拉伸應(yīng)力Sy。不同配置間的應(yīng)力差異主要出現(xiàn)在聚合物邊緣。

            鑒于聚合物末端在BEoL棧上產(chǎn)生拉伸性負(fù)載,確定選項(xiàng)#6為首選。因此,密封環(huán)的‘錨定’特性可限制其潛在的不利影響。為辨別結(jié)構(gòu)差異,關(guān)注點(diǎn)放在鈍化層應(yīng)力上。

            不出所料,發(fā)現(xiàn)兩個(gè)大類:第一類(#2, #3 & #5)是聚合物層末端靠近一個(gè)幾何奇點(diǎn),引發(fā)最大應(yīng)力;第二類(#1, #4 & #6)是聚合物層末端在一個(gè)平坦面上,這里觀察到最小應(yīng)力。提案#6(即密封圈上方)的改進(jìn)作用并不明顯,需要說明地是,這可能是所用分析標(biāo)準(zhǔn)造成的,本文只分析了SiN層的完整性,BEoL中間層的離層風(fēng)險(xiǎn)并未視為一種失效模式?;谶@些結(jié)果和過程可變因素,將邊緣置于較大的平坦區(qū)域是比較安全的,這對(duì)應(yīng)配置#4。

            鈍化性質(zhì)

            聚合物層邊緣、暴露于空氣中的結(jié)構(gòu)和焊盤的存在,讓W(xué)LCSP封裝的鈍化層成為一個(gè)重要區(qū)域。開發(fā)人員可以從厚度和殘余應(yīng)力角度探討最佳設(shè)計(jì)。因?yàn)槲覀兏櫟氖ь愋褪菣C(jī)械失效,所以討論重點(diǎn)放在氮化物層的特性方面。為此,我們測(cè)試了不同厚度與殘余應(yīng)力的相對(duì)變化,見表1.

            表1.探討過的參數(shù)表

            圖12:[A]SiN厚度的影響[B]SiN殘余應(yīng)力的影響

            應(yīng)力是從聚合物層下面的SiN層提取的(圖12)。測(cè)試結(jié)果顯示,SiN越厚,應(yīng)力越小。還應(yīng)記住,如果厚度較大,真層拓?fù)淇赡軙?huì)更平滑,奇點(diǎn)更少,因此,可降低失效風(fēng)險(xiǎn)。關(guān)于殘余應(yīng)力影響,根據(jù)最初假定值,最終應(yīng)力被遷移。因此,通過降低殘余應(yīng)力,降低了最終應(yīng)力狀態(tài)的數(shù)學(xué)值。不過,增加厚度方法不能隨意修改,還要記住對(duì)其它特性(例如,電氣、可靠性和熱變形)的影響。因此,必須找到一個(gè)折衷的辦法,考慮到所有的副作用。

            4. 結(jié)論

            本文概述了WLCSP級(jí)封裝的特異性,先簡(jiǎn)要介紹了扇入和扇出型封裝特異性以及封裝流程;然后,描述了在制程工序和/或可靠性測(cè)試期間發(fā)生的不同的熱機(jī)械失效。裸片邊緣帶和焊球四周是高度敏感區(qū)域,發(fā)生過很多失效問題。為更深入地了解所涉及的結(jié)構(gòu),本文采用有限元法分析了WLCSP封裝失效問題。首先,建立一個(gè)3D封裝模型,初步了解扇入型封裝的熱機(jī)械特性。研究發(fā)現(xiàn),焊球和聚合物邊緣是影響可靠性的重要位置。然后,用一個(gè)2D模型深入分析聚合物邊緣的影響,優(yōu)化BEoL層。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),終止在平坦區(qū)域的錐體沉積法可降低在BEoL鈍化層發(fā)生的應(yīng)力。最后,我們研究了SiN厚度及殘余應(yīng)力的影響,并建議提高SiN層厚度,以降低殘余應(yīng)力。

            本文能夠讓讀者朋友更好地了解WLCSP封裝在機(jī)械性能方面的特異性。通過介紹一組與有限元法結(jié)果相關(guān)的典型失效,我們概括了主要有效參數(shù)和可靠性改進(jìn)建議。

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