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          完整的芯片反向設(shè)計(jì)流程原來(lái)是這樣的?。▽?shí)例講解)

          作者: 時(shí)間:2018-02-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            六、版圖繪制。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201802/375971.htm

            這部分在電路整理完之后就可以開(kāi)始進(jìn)行了,并配合電路仿真與修改,逐步晚上版圖的繪制。該階段所使用的主要工具有 1、cadence ic5141的版圖繪制軟件;2、cadence Dracula Diva或者Calibre,這兩個(gè)用于版圖DRC(設(shè)計(jì)規(guī)則檢查)、LVS(版圖一致性檢查);一般而言,calibre會(huì)更加常用一些,畢竟這可是Mentor公司的招牌軟件之一。在版圖繪制好并進(jìn)行各種檢查無(wú)誤之后,就可以tapeout,準(zhǔn)備流片了。

            七、測(cè)試規(guī)范。

            師在tapeout之后就要準(zhǔn)備制定CP測(cè)試規(guī)范了,這是接下來(lái)CP測(cè)試流程的總綱,非常重要。測(cè)試規(guī)范的測(cè)試項(xiàng)主要來(lái)源于datasheet,將重要的參數(shù)設(shè)置為測(cè)試項(xiàng),并規(guī)定參數(shù)的合理分布范圍以及每一個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試方法(流程)。這些測(cè)試參數(shù)以及測(cè)試方法將決定CP測(cè)試開(kāi)發(fā)時(shí)所用到的測(cè)試環(huán)境ATE(auto test environment)。

            八、CP測(cè)試開(kāi)發(fā)。

            根據(jù)測(cè)試規(guī)范,可以選定所需要的測(cè)試工具以進(jìn)行整個(gè)測(cè)試環(huán)境的搭建工作。我所知道到用于測(cè)試的測(cè)試儀有JUNO DTS-1000,ASL1000,V777,STS8200等。每一種測(cè)試儀適用于不同種類(lèi)的芯片測(cè)試,測(cè)試儀主要分為數(shù)字測(cè)試,模擬測(cè)試,數(shù)模混合測(cè)試這三大類(lèi)。CP測(cè)試開(kāi)發(fā)所需要做的工作有:1,測(cè)試儀的選擇(ps:這個(gè)階段還要考慮一個(gè)重要的因素就是一次測(cè)試多少顆裸芯,也就是CP測(cè)試常說(shuō)的多少個(gè)site,這關(guān)系到后續(xù)測(cè)試程序的編寫(xiě),以及DUT板的制作,非常重要);2,根據(jù)測(cè)試儀開(kāi)發(fā)測(cè)試程序;3,制作測(cè)試裸芯片用DUT板,扎PAD位的針由測(cè)試廠制作并焊接在DUT上(ps:DUT板有時(shí)候也叫針卡);4,自制測(cè)試儀(可選),當(dāng)測(cè)試儀并不能完成某些特殊測(cè)試項(xiàng)的要求時(shí),還得自己制作測(cè)試儀。例如,紅外接收芯片測(cè)試所需要用到的掃頻儀,若采用非自制掃頻儀,測(cè)試時(shí)間將非常長(zhǎng),必須自己制作。5,測(cè)試數(shù)據(jù)的分析。對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的分析有助于對(duì)測(cè)試方法的改進(jìn)和對(duì)芯片設(shè)計(jì)的改進(jìn)。CP測(cè)試在整個(gè)芯片反向設(shè)計(jì)中占據(jù)著重要位置,所花費(fèi)的人力、物力是非常多的,還需要頻繁和測(cè)試廠交流,所以CP測(cè)試顯得非常復(fù)雜。在CP測(cè)試開(kāi)發(fā)完之后,會(huì)進(jìn)行COB測(cè)試,之后才進(jìn)行CP測(cè)試的調(diào)試階段,以及正式批量測(cè)試階段。

            九、COB測(cè)試。

            所謂COB測(cè)試,其實(shí)就是Chip On Board(將裸芯打線在PCB板上或者將封裝好的芯片焊接在PCB上,并將引腳引出),它是在CP測(cè)試進(jìn)行之前進(jìn)行的一項(xiàng)測(cè)試(也在成品測(cè)試之后進(jìn)行),用于初步判斷芯片的功能和性能,如果這批次隨機(jī)采樣的幾顆芯片功能和性能都很爛就暫時(shí)不必進(jìn)行CP測(cè)試了。另外,COB測(cè)試相比于CP測(cè)試具有更多的靈活性,可以測(cè)試更多的測(cè)試項(xiàng),獲取有關(guān)芯片更為全面的信息。當(dāng)然,COB測(cè)試也是需要開(kāi)發(fā)一套相應(yīng)的測(cè)試環(huán)境的。開(kāi)發(fā)的工作根據(jù)芯片的不同,工作量會(huì)有很大的不同,例如,如果有I2C通信引腳的芯片,需要用到USB轉(zhuǎn)I2C芯片,例如FT232。通過(guò)在電腦上編程,通過(guò)控制USB轉(zhuǎn)I2C芯片來(lái)控制待測(cè)芯片。這樣的話(huà),搭建整個(gè)測(cè)試環(huán)境就會(huì)比較復(fù)雜。如果是模擬芯片,例如電源管理類(lèi)芯片,需要使用LabView編程來(lái)控制數(shù)字源表進(jìn)行自動(dòng)化參數(shù)測(cè)量??傊?,COB測(cè)試也是芯片設(shè)計(jì)中一個(gè)比較重要的流程,這部分的工作內(nèi)容,比較難以敘述,簡(jiǎn)單的,就用數(shù)字源表測(cè)試幾項(xiàng)參數(shù)就行了,復(fù)雜的都會(huì)基于軟件控制的形式進(jìn)行半自動(dòng)的測(cè)試。具體說(shuō)來(lái),1、開(kāi)發(fā)在PC端開(kāi)發(fā)測(cè)試的程序,例如LabView;2、設(shè)計(jì)測(cè)試芯片的電路板,并留下與PC通信的接口,通常采用單片機(jī)做主控芯片;3、搭建測(cè)試所需要的環(huán)境,比如說(shuō)遮光要求。過(guò)程敘述得很簡(jiǎn)單,但實(shí)際開(kāi)發(fā)并不容易,難度視待測(cè)芯片而異。

            十、成測(cè)開(kāi)發(fā)。

            在CP測(cè)試完了之后,裸芯就可以送到成測(cè)廠進(jìn)行劃片和封裝了,在這期間,師所要做的工作就是依據(jù)制定成品測(cè)試的規(guī)范并進(jìn)行成品測(cè)試的開(kāi)發(fā)。這部分的工作其實(shí)和CP測(cè)試的工作是類(lèi)似的,只不過(guò),相對(duì)于CP測(cè)試而言,成品測(cè)試的測(cè)試項(xiàng)會(huì)少很多。許多CP測(cè)試用到的測(cè)試項(xiàng),比如,燒調(diào)之類(lèi)的,成品測(cè)試就不會(huì)進(jìn)行了,其余步驟均與CP測(cè)試一致。

            十一、可靠性測(cè)試。

            當(dāng)芯片封裝好,并通過(guò)了成品測(cè)試之后,并不意味著芯片的測(cè)試就結(jié)束了,還有芯片可靠性測(cè)試。在成測(cè)結(jié)束,并把樣品返回設(shè)計(jì)師手中之后,設(shè)計(jì)師還需進(jìn)行COB測(cè)試,并在這時(shí)預(yù)留幾顆芯片不參與接下來(lái)的可靠性測(cè)試,這幾顆芯片將在可靠性測(cè)試之后作為對(duì)比之用。

            芯片可靠性測(cè)試,是衡量芯片的質(zhì)量和壽命的一項(xiàng)測(cè)試。它具體包括環(huán)境測(cè)試、EMC測(cè)試、其它測(cè)試等三大項(xiàng)。細(xì)分項(xiàng)有高溫低溫測(cè)試、高溫高濕測(cè)試,抗靜電測(cè)試等等,全部的測(cè)試項(xiàng)可參考IC可靠性測(cè)試項(xiàng)目。每一款芯片都有與其對(duì)應(yīng)的可靠性測(cè)試項(xiàng),并不是所有測(cè)試項(xiàng)目都要測(cè)。我們只要關(guān)注與該芯片適配的測(cè)試項(xiàng)就行。具體如何決定測(cè)試項(xiàng),這需要與芯片的用途有關(guān),每一種用途,它的測(cè)試要求都是不一樣的??煽啃詼y(cè)試實(shí)驗(yàn)比較簡(jiǎn)單,但是,芯片的可靠性卻是由此來(lái)衡量的??煽啃詼y(cè)試需要的測(cè)試工具都比較昂貴,當(dāng)然工具的重復(fù)使用性也是比較好的。每一個(gè)測(cè)試項(xiàng)都對(duì)應(yīng)這一套測(cè)試設(shè)備。

            十二、成品開(kāi)發(fā)。

            設(shè)計(jì)出的芯片必須配置相應(yīng)的使用方案,才能將芯片推廣出去,客戶(hù)才能夠更好的使用芯片。不同用途的芯片,它的使用方案不一樣,差別也是非常巨大的。像單片機(jī)、ARM、FPGA類(lèi)芯片,配置的可不是簡(jiǎn)單的使用方案,而是一整套使用它的系統(tǒng)。電源管理芯片,需要配置一個(gè)電源管理芯片的一套應(yīng)用方案,并且需要具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力,這才能夠?qū)⑿酒u(mài)出去。所以成品開(kāi)發(fā)是芯片能否賣(mài)出去的關(guān)鍵。我所接觸到的成品開(kāi)發(fā),基本是以單片機(jī)為主控芯片的開(kāi)發(fā)方案。具體開(kāi)發(fā)過(guò)程將在后續(xù)有更為詳細(xì)的說(shuō)明。

            有制造就對(duì)應(yīng)著拆解,下面看一個(gè)具體案例:

            那么,這些微型芯片的逆向工程(reverse engineering)是怎么操作和實(shí)現(xiàn)的? 現(xiàn)在,我就來(lái)為大家講解,今天先跟大家講個(gè)大概,接著我們會(huì)連續(xù)就這個(gè)芯片的反向技術(shù)分篇細(xì)說(shuō),歡迎關(guān)注我們研究室頭條號(hào),謝謝! 好,廢話(huà)少說(shuō),直接來(lái)干貨!拆解首先把要拆解的芯片放置在裝了濃硫酸的容器里,容器需要蓋住,但不能?chē)?yán)實(shí),這樣里面的氣體才能漫溢出來(lái)。把容器里的濃硫酸加熱到沸騰(大約 300 攝氏度),在瓶底的周?chē)伾咸K打粉——用來(lái)預(yù)防意外飛濺出來(lái)的硫酸液和冒出來(lái)的硫酸氣體:

            大約 30 到 40 分鐘以后,芯片外層的保護(hù)膠塑料層就會(huì)「碳化」:

              

            待酸液冷卻以后,可以把里面哪些已經(jīng)足夠「碳化」的部分挑出來(lái),其它繼續(xù)進(jìn)行硫酸浴,外層較厚的芯片可能需要兩到三輪硫酸?。?/p>

              

            如果芯片外層那些焦炭不能機(jī)械地去除,那么就把它們投進(jìn)濃硝酸液里面加熱到沸騰(溫度大約是 110 到 120 度):

            這就是最后的樣子:  

            照相   

            在顯微圖像自動(dòng)采集平臺(tái)上逐層對(duì)芯片樣品進(jìn)行顯微圖像采集。與測(cè)量三維實(shí)體或曲面的逆向設(shè)計(jì)不同,測(cè)量集成電路芯片純屬表面文章:放好芯片位置、對(duì)對(duì)焦、選好放大倍數(shù),使芯片表面在鏡頭中和顯示器上清晰可見(jiàn)后,按下拍照按鈕便可完成一幅顯微圖像的采集。取決于電路的規(guī)模和放大倍數(shù),一層電路可能需要在拍攝多幅圖像后進(jìn)行拼湊,多層電路需要在拼湊后對(duì)準(zhǔn),有顯微圖像自動(dòng)拼湊軟件用于進(jìn)行拼湊和對(duì)準(zhǔn)操作。 隨便估算一下:該顯微圖像自動(dòng)采集平臺(tái)的放大倍數(shù)為1000倍,可將0.1um線條的放大至0.1mm的寬度。這意味著它已足以對(duì)付目前采用最先進(jìn)工藝制作的0.09um集成電路芯片。

            提圖:  

            集成電路由多層組成,每層用光刻工藝由光掩膜加以確定。制造集成電路時(shí)用的掩膜上的幾何圖形就是版圖,版圖是集成電路對(duì)應(yīng)的物理層。 現(xiàn)在提圖工作已經(jīng)可以由電腦全部完成了。主流的電路原理圖分析系統(tǒng)已經(jīng)具有多層顯微圖像瀏覽、電路單元符號(hào)設(shè)計(jì)、電路原理圖自動(dòng)和交互式分析提取以及電路原理圖編輯等強(qiáng)大功能,版圖分析系統(tǒng)則可完成多層版圖輪廓自動(dòng)提取、全功能版圖編輯、嵌入軟件代碼自動(dòng)識(shí)別、提取、校驗(yàn)以及設(shè)計(jì)規(guī)則的統(tǒng)計(jì)和提取。 提取、整理電路 數(shù)字電路需要?dú)w并同類(lèi)圖形,例如與非門(mén)、或非門(mén)、觸發(fā)器等,同樣的圖形不要分析多次。

            提出的電路用電路繪制軟件繪出(ViewWork、Laker、Cadence等),按照易于理解的電路布置,使其他人員也能看出你提取電路的功能,提取電路的速度完全由提圖人員經(jīng)驗(yàn)水平確定。注意,軟件是按照版圖的位置把各組件連接起來(lái),如果不整理電路是看不出各模塊的連接及功能的,所以完全靠軟件是不能完成電路功能塊劃分和分析。 分析電路 提取出的電路整理成電路圖,并輸入幾何參數(shù)(MOS為寬長(zhǎng)比)。通過(guò)你的分析,電路功能明確,電路連接無(wú)誤。 仿真驗(yàn)證,電路調(diào)整 對(duì)電路進(jìn)行功能仿真驗(yàn)證。模擬電路一般采用Hspice、Cadence等工具,小規(guī)模數(shù)字電路采用Cadence,Hsim等工具。根據(jù)新的工藝調(diào)整電路,-調(diào)整后進(jìn)行驗(yàn)證。 版圖繪制驗(yàn)證及后仿真 對(duì)輸入的電路原理圖進(jìn)行瀏覽、查詢(xún)、編輯、調(diào)試與仿真。分析電路原理,調(diào)節(jié)電路參數(shù),并在一定的激勵(lì)輸入下觀測(cè)輸出波形,以驗(yàn)證設(shè)計(jì)的邏輯正確性。要對(duì)提取的網(wǎng)表作仿真驗(yàn)證,并與前仿結(jié)果對(duì)比,-版圖導(dǎo)出GDS文件,Tape out(將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)交給制造方)。


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