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          MOSFET的驅(qū)動技術(shù)及應(yīng)用

          作者: 時間:2018-09-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201809/388426.htm

          第二個,重要作用就是調(diào)解驅(qū)動器的驅(qū)動能力,調(diào)節(jié)開關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動能力,而不能提高。

          對上圖進行仿真,R3分別取1歐姆,和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。

          紅色波形為R3=1歐姆,綠色為R3=100歐姆??梢钥吹?,當(dāng)R3比較大時,驅(qū)動就有點力不從心了,特別在處理米勒效應(yīng)的時候,驅(qū)動電壓上升很緩慢。

          下圖,是驅(qū)動的下降沿

          同樣標(biāo)稱7A的mos,不同的廠家,不同的器件,參數(shù)是不一樣的。所以沒有什么公式可以去計算。

          那么驅(qū)動的快慢對MOS的開關(guān)有什么影響呢?下圖是MOS導(dǎo)通時候DS的電壓:

          紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢奟3越大,MOS的導(dǎo)通速度越慢。



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