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          MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2018-09-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201809/388426.htm

          驅(qū)動(dòng)電壓變得平緩了些。如果把驅(qū)動(dòng)變壓器的電感量增加到500uH。驅(qū)動(dòng)信號就如下圖:

          驅(qū)動(dòng)信號顯得更為平緩。

          從這里可以看到,這種驅(qū)動(dòng),有個(gè)明顯的特點(diǎn),就是驅(qū)動(dòng)電平,最終到達(dá)MOS的時(shí)候,電壓幅度減小了,具體減小多少呢,應(yīng)該是D*V,D為占空比,那么如果D很大的話,驅(qū)動(dòng)電壓就會變得很小,如下圖,D=0.9

          發(fā)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)到達(dá)MOS的時(shí)候,正壓不到2V了。顯然這種驅(qū)動(dòng)不適合占空比大的情況。

          從上面可以看到,在驅(qū)動(dòng)工作的時(shí)候,其實(shí)C1上面始終有一個(gè)電壓存在,電壓平均值為V*D,也就是說這個(gè)電容存儲著一定的能量。那么這個(gè)能量的存在,會帶來什么問題呢?



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