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          MOSFET的驅(qū)動技術(shù)及應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2018-09-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201809/388426.htm

          下圖是電流波形

          紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢奟3越大,MOS的導(dǎo)通速度越慢。

          可以看到,驅(qū)動電阻增加可以降低MOS開關(guān)的時(shí)候得電壓電流的變化率。比較慢的開關(guān)速度,對EMI有好處。下圖是對兩個(gè)不同驅(qū)動情況下,MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

          紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?,驅(qū)動電阻大的時(shí)候,高頻諧波明顯變小。

          但是驅(qū)動速度慢,又有什么壞處呢?那就是開關(guān)損耗大了,下圖是不同驅(qū)動電阻下,導(dǎo)通損耗的功率曲線。

          紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?,驅(qū)動電阻大的時(shí)候,損耗明顯大了。



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