MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用
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其核心的東西，就是紅圈里的boot二極管，和Level shift電路。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201809/388426.htmISL21XX驅(qū)動(dòng)橋式電路示意圖：
驅(qū)動(dòng)雙管電路：
驅(qū)動(dòng)有源鉗位示意圖：
當(dāng)然以上都是示意圖，沒有完整的外圍電路，但是外圍其實(shí)很簡單，參考datasheet即可。
ISL21XX驅(qū)動(dòng)橋式電路示意圖：
驅(qū)動(dòng)雙管電路：
驅(qū)動(dòng)有源鉗位示意圖：
當(dāng)然以上都是示意圖，沒有完整的外圍電路，但是外圍其實(shí)很簡單，參考datasheet即可。
自舉電容主要在于其大小，該電容在充電之后，就要對(duì)MOS的結(jié)電容充電，如果驅(qū)動(dòng)電路上有其他功耗器件，也是該電容供電的。所以要求該電容足夠大，在提供電荷之后，電容上的電壓下跌最好不要超過原先值的10%，這樣才能保證驅(qū)動(dòng)電壓。但是也不用太大，太大的電容會(huì)導(dǎo)致二極管在充電的時(shí)候，沖擊電流過大。
對(duì)于二極管，由于平均電流不會(huì)太大，只要保證是快速二極管。當(dāng)然，當(dāng)自舉電壓比較低的時(shí)候，這個(gè)二極管的正向壓降，盡量選小的。
電容沒什么，磁片電容，幾百n就可以了。但是二極管，要超快的，而且耐壓要夠。電流不用太大，1A足夠。
隔離驅(qū)動(dòng)。當(dāng)控制和MOS處于電氣隔離狀態(tài)下，自舉驅(qū)動(dòng)就無法勝任了，那么就需要隔離驅(qū)動(dòng)了。下面來討論隔離驅(qū)動(dòng)中最常用的，變壓器隔離驅(qū)動(dòng)。
看個(gè)最簡單的隔離驅(qū)動(dòng)電路，被驅(qū)動(dòng)的對(duì)象是Q1。
評(píng)論