基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)
11月5日,在第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間,來自中國、日本和韓國的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體,參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201811/394935.htm出席會(huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向,并圍繞其在新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、新能源汽車領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用趨勢等議題進(jìn)行了探討和交流。
會(huì)議期間,基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對(duì)出席嘉賓表示熱烈歡迎,并介紹了基本半導(dǎo)體在技術(shù)創(chuàng)新方面取得的突破性成果,包括自主研發(fā)的碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件產(chǎn)品,性能優(yōu)越達(dá)到國際先進(jìn)水平。
第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和新的產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)。專業(yè)院校在第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究、高端人才培養(yǎng)方面可為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供科研支撐和人力資源。中日韓第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)為遠(yuǎn)道而來的專家學(xué)者搭建了技術(shù)交流及信息分享的平臺(tái),在熱烈的討論中碰撞出了很多新的火花。
基本半導(dǎo)體非常注重與高校的產(chǎn)學(xué)研合作,與清華大學(xué)共建了第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,并與南方科技大學(xué)等單位共建深圳第三代半導(dǎo)體研究院。未來基本半導(dǎo)體將繼續(xù)與世界知名高校建立更深入的合作,助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。
評(píng)論