基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國(guó)電子展

　　10月31日-11月2日，第92屆中國(guó)電子展在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉行。基本半導(dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品。

　　中國(guó)電子展是電子行業(yè)的年度盛會(huì)，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測(cè)試測(cè)量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì)。

　　此次坪山區(qū)政府在中國(guó)電子展特別設(shè)立深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，介紹坪山經(jīng)濟(jì)發(fā)展、產(chǎn)業(yè)布局及科技創(chuàng)新等方面的情況，并重點(diǎn)展示基本半導(dǎo)體等坪山第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)風(fēng)采。 第三代半導(dǎo)體滿足國(guó)防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求。深圳坪山區(qū)政府正大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，推出了多項(xiàng)扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的優(yōu)惠政策和措施，助力第三代半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)新和發(fā)展。

　　基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)，目前公司自主研發(fā)的高性能1200V/10A碳化硅平面MOSFET已經(jīng)完成產(chǎn)品化，在本屆中國(guó)電子展進(jìn)行了重點(diǎn)展示。該產(chǎn)品具有較低的RDS(ON)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)良，可提高器件工作效率，減少芯片面積。它們能在更高的開(kāi)關(guān)頻率下，通過(guò)更低的熱損耗實(shí)現(xiàn)高效率，柵氧溝道電子遷移率16cm2/Vs，擊穿場(chǎng)強(qiáng)接近8.8MV/cm。1200V/10A MOSFET TDDB測(cè)試，門極偏壓30-36V數(shù)據(jù)推算20V應(yīng)用條件下柵氧壽命在200年以上。因其優(yōu)異性能，基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET可在電動(dòng)汽車、軌道交通、光伏發(fā)電、國(guó)防軍工等領(lǐng)域廣泛使用。 基本半導(dǎo)體展臺(tái)迎來(lái)了眾多關(guān)注第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)觀眾，大家在了解碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域的同時(shí)，與展臺(tái)技術(shù)專家進(jìn)一步探討行業(yè)發(fā)展方向和未來(lái)趨勢(shì)。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)加速擴(kuò)展，打造國(guó)際一流民族品牌是中國(guó)企業(yè)義不容辭的責(zé)任?；景雽?dǎo)體在推進(jìn)核心技術(shù)自主可控的過(guò)程中，將不斷提升技術(shù)創(chuàng)新能力，積極推動(dòng)終端應(yīng)用的開(kāi)發(fā)落地，以更好地促進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代的良性循環(huán)，滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的巨大需求。