重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議

　　11月4-7日，由中國電源學(xué)會與IEEE電力電子學(xué)會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導(dǎo)體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈。

　　作為全球性的電力電子行業(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學(xué)會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院士臧克茂教授，IEEE-電力電子學(xué)會主席Alan Mantooth教授，美國電源制造商協(xié)會主席Stephen Oliver先生，韓國電力電子學(xué)會主席Eui-Cheol Nho教授等受邀出席本次會議。 為期四天的博覽會活動內(nèi)容精彩紛呈，9場專題報告、12場專題講座、52個技術(shù)報告分會場256場報告、10個工業(yè)報告分會場32場報告和墻報交流、設(shè)計大賽及頒獎儀式輪番登場。特邀專家以國際視野的全新角度，緊扣電力電子領(lǐng)域發(fā)展的不同熱點議題，分享對于該領(lǐng)域的前瞻思考和獨到見解，受到了與會者的熱烈歡迎。

　　基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理張振中博士受邀在功率器件應(yīng)用分會場作技術(shù)分享，重點介紹了基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的高性能碳化硅MOSFET產(chǎn)品。目前公司主推的1200V 碳化硅MOSFET具有短路安全工作區(qū)大、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導(dǎo)通電阻低的特點。該產(chǎn)品完成了150度下2000小時的HTRB和HTGB可靠性試驗，并通過多家客戶的嚴苛測試認證，進入批量供應(yīng)階段。器件反向擊穿電壓達到1520V，在柵極電壓20V、直流電壓800V的短路條件下，可安全承受6微秒的短路時間;在柵極電壓16V以上，器件可安全地進行并聯(lián)工作。 基本半導(dǎo)體將憑借雄厚的研發(fā)實力和創(chuàng)新能力，繼續(xù)加快產(chǎn)品創(chuàng)新步伐。張振中博士表示，碳化硅MOSFET產(chǎn)品開發(fā)將從分立器件逐步拓展到Compact系列封裝和汽車級封裝，覆蓋新能源汽車電機控制器、車載電源、大功率充電模塊、光伏逆變器等多個領(lǐng)域。

　　大會期間，基本半導(dǎo)體展臺人流如織，眾多行業(yè)人士前來咨詢碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品性能及應(yīng)用情況，多家客戶達成合作意向?；景雽?dǎo)體技術(shù)團隊與國內(nèi)外專家、學(xué)者和科研技術(shù)人員深入探討電力電子發(fā)展新思想、新技術(shù)的同時，會老友、結(jié)新朋，共同助力電力電子產(chǎn)業(yè)生態(tài)的協(xié)同發(fā)展。