重磅！國(guó)產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)通過驗(yàn)證，將用于臺(tái)積電5nm芯片制造！

　　近日，臺(tái)積電對(duì)外宣布，將在2019年第二季度進(jìn)行5nm制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。與此同時(shí)，中微半導(dǎo)體也向“上觀新聞”透露了一個(gè)重磅消息，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。

　　值得一提的是，中微半導(dǎo)體也是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm制程時(shí)便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。

　　而中微半導(dǎo)體如此亮眼成績(jī)的背后，離不開尹志堯和他團(tuán)隊(duì)的多年努力。

　　他放棄國(guó)外百萬年薪工作，只為一顆“中國(guó)芯”

　　研究顯示，2015-2020年中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)投資額將達(dá)到650億美元，其中芯片制造設(shè)備投資額就將達(dá)到500億美元。但是中國(guó)芯片制造設(shè)備的95%都是依賴于進(jìn)口，也就是說需要花480億到國(guó)外購(gòu)買設(shè)備。這也使得中國(guó)芯片制造設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化成為了一件非常迫切的事情。

　　在美國(guó)硅谷從事半導(dǎo)體行業(yè)20多年的尹志堯，其在世界最大的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)——美國(guó)應(yīng)用材料公司擔(dān)任總公司副總裁，曾被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國(guó)幾代等離子體刻蝕機(jī)的研發(fā)，擁有60多項(xiàng)技術(shù)專利。

　　2004年，當(dāng)時(shí)已經(jīng)60歲的尹志堯放棄了美國(guó)的百萬年薪，帶領(lǐng)三十多人的團(tuán)隊(duì)，沖破美國(guó)政府的層層審查(所有人都承諾不把美國(guó)的技術(shù)帶回中國(guó)，包括所有工藝配方、設(shè)計(jì)圖紙，一切從零開始)，回國(guó)創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體，他要在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域與國(guó)際巨頭直接競(jìng)爭(zhēng)，取得一席之地。

　　成功打破國(guó)外壟斷

　　等離子體刻蝕機(jī)是芯片制造環(huán)節(jié)的一種關(guān)鍵設(shè)備，其是在芯片上進(jìn)行微觀雕刻，刻出又細(xì)又深的接觸孔或者線條，每個(gè)線條和深孔的加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬分之一。這對(duì)刻蝕機(jī)的控制精度要求非常高。

　　據(jù)介紹，一個(gè)16nm的微觀邏輯器件有60多層微觀結(jié)構(gòu)，要經(jīng)過1000多個(gè)工藝步驟，要攻克上萬個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)才能加工出來。只看等離子體刻蝕這個(gè)關(guān)鍵步驟，它的加工尺度為普通人頭發(fā)絲的五千分之一，加工的精度和重復(fù)性要達(dá)到五萬分之一。足見難度之高。

　　長(zhǎng)期以來，蝕刻機(jī)的核心技術(shù)一直被國(guó)外廠商所壟斷。2004年尹志堯回國(guó)創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體之初就將目光鎖定在了刻蝕機(jī)領(lǐng)域。

　　中微半導(dǎo)體在剛剛涉足IC芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備時(shí)，就推出了65nm等離子介質(zhì)刻蝕機(jī)產(chǎn)品，隨著技術(shù)的進(jìn)步一直做到45nm、32nm、28nm、16nm、10nm，現(xiàn)在7nm的刻蝕機(jī)產(chǎn)品已經(jīng)在客戶的生產(chǎn)線上運(yùn)行了，5nm刻蝕機(jī)也即將被臺(tái)積電采用。

　　“在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個(gè)字已經(jīng)是極限，而我們的等離子刻蝕機(jī)在芯片上的加工工藝，相當(dāng)于可以在米粒上刻10億個(gè)字的水平?！敝形雽?dǎo)體CEO尹志堯曾這樣形容到。

　　經(jīng)過多年的努力，中微半導(dǎo)體用實(shí)力打破了這一領(lǐng)域技術(shù)封鎖，成功讓中國(guó)正式躋身刻蝕機(jī)國(guó)際第一梯隊(duì)。

　　中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁倪圖強(qiáng)博士表示，刻蝕機(jī)曾是一些發(fā)達(dá)國(guó)家的出口管制產(chǎn)品，但近年來，這種高端裝備在出口管制名單上消失了。這說明如果我們突破了“卡脖子”技術(shù)，出口限制就會(huì)不復(fù)存在。如今，中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，組成了國(guó)際第一梯隊(duì)，為7nm芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機(jī)。

　　(芯智訊注：美國(guó)商務(wù)部在2015年宣布，由于在中國(guó)已有一個(gè)非美國(guó)的設(shè)備公司做出了和美國(guó)設(shè)備公司有相同質(zhì)量和相當(dāng)數(shù)量的等離子體刻蝕機(jī)，所以取消了對(duì)中國(guó)的刻蝕機(jī)的出口管制。)

　　他還表示，明年臺(tái)積電將率先進(jìn)入5nm制程，已通過驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)，預(yù)計(jì)會(huì)獲得比7nm生產(chǎn)線更大的市場(chǎng)份額。

　　值得一提的是，2016年，中微半導(dǎo)體獲得國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)4.8 億元的投資，成功成為中國(guó)芯片制造領(lǐng)域的國(guó)家隊(duì)。而這也凸顯了國(guó)家對(duì)于中微半導(dǎo)體在中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的貢獻(xiàn)和地位的認(rèn)可。

　　面對(duì)國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挑釁，屢戰(zhàn)屢勝

　　或許正是由于中微半導(dǎo)體在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，也引來了國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挑起的知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟。

　　首先發(fā)難的是尹志堯的老東家——美國(guó)應(yīng)用材料公司，2007年之時(shí)，美國(guó)應(yīng)用材料公司就起訴中微半導(dǎo)體侵權(quán)，但卻始終舉證無力(尹志堯及其團(tuán)隊(duì)成員在離開美國(guó)時(shí)并未帶走任何工藝配方、設(shè)計(jì)圖紙，后續(xù)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也避開了對(duì)方的專利)，中微半導(dǎo)體則抓住機(jī)會(huì)適時(shí)反訴對(duì)方不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)，應(yīng)用材料公司顯然對(duì)這一情況準(zhǔn)備不足，最終不得不撤訴求和。

　　2009年，另一巨頭美國(guó)科林研發(fā)又在臺(tái)灣起訴中微侵犯其發(fā)明專利，中微半導(dǎo)體則積極應(yīng)對(duì)，提供其專利無效的證據(jù)，在法院的兩次審判中科林的相關(guān)專利均被判決無效，第三次臺(tái)灣“智慧財(cái)產(chǎn)局”甚至審定撤銷了科林的其中一項(xiàng)專利權(quán)，緊接著科林又對(duì)“智慧財(cái)產(chǎn)局”的審定提出行政訴訟，再次遭到駁回。

　　2016年，中微半導(dǎo)體在接受媒體采訪時(shí)，也詳細(xì)介紹了其應(yīng)對(duì)美國(guó)行業(yè)巨頭5年侵犯商業(yè)秘密和專利權(quán)纏訴，終獲“一撤訴四連勝”的成功經(jīng)歷。

　　當(dāng)時(shí)，中微半導(dǎo)體公司資深知識(shí)產(chǎn)權(quán)總監(jiān)姜銀鑫就表示，“中微在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面相當(dāng)謹(jǐn)慎，于公司建立初期便成立了專門的知識(shí)產(chǎn)權(quán)團(tuán)隊(duì)，未雨綢繆，針對(duì)潛在的知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛可能性做了大量的分析排查。在部分海歸研發(fā)團(tuán)隊(duì)核心成員回國(guó)加入之前，中微便已經(jīng)讓他們簽訂了不從原單位帶來技術(shù)機(jī)密的承諾書”。

　　2017年11月初，美國(guó)MOCVD(金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備)設(shè)備廠Veeco宣布，美國(guó)紐約東區(qū)地方法院同意了其針對(duì)SGL Carbon，LLC(SGL)的一項(xiàng)初步禁令請(qǐng)求，禁止SGL出售采用Veeco專利技術(shù)的MOCVD使用的晶圓承載器(即石墨盤)，包括專為中國(guó)MOCVD設(shè)備商中微半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的石墨盤。Veeco此舉針對(duì)的正是中微半導(dǎo)體。

　　對(duì)此，中微半導(dǎo)體一方面積極發(fā)展第二和第三渠道的供應(yīng)商;另一方面則在中國(guó)對(duì)Veeco提起專利侵權(quán)訴訟。

　　中微半導(dǎo)體披露，其于2017年7月向福建高院正式起訴 Veeco上海，指控其TurboDisk EPIK 700型號(hào)的MOCVD設(shè)備侵犯了中微的基片托盤同步鎖定的中國(guó)專利，要求其停止侵權(quán)并主張上億元侵權(quán)損害賠償。在中微半導(dǎo)體起訴后，Veeco上海對(duì)該中微半導(dǎo)體專利向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委(簡(jiǎn)稱“專利復(fù)審委”)提起無效宣告請(qǐng)求。

　　同年11月24日，專利復(fù)審委于作出審查決定，否決了Veeco上海關(guān)于中微半導(dǎo)體專利無效的申請(qǐng)，確認(rèn)中微半導(dǎo)體起訴Veeco上海專利侵權(quán)的涉案專利為有效專利。

　　2017年12月8日，福建省高級(jí)人民法院同意了中微半導(dǎo)體針對(duì)Veeco上海的禁令申請(qǐng)，該禁令禁止Veeco上海進(jìn)口、制造、向任何第三方銷售或許諾銷售侵犯中微第CN 202492576號(hào)專利的任何化學(xué)氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤。該禁令立即生效執(zhí)行，不可上訴。

　　中微半導(dǎo)體對(duì)于Veeco上海的勝訴，成功打擊了Veeco妄圖通過專利戰(zhàn)打擊中微半導(dǎo)體的企圖。

　　“中微在過去11年輪番受到美國(guó)設(shè)備大公司的法律訴訟，但我們由于有堅(jiān)固的知識(shí)產(chǎn)權(quán)防線，完全遵守美國(guó)和各國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)法律，一直處于不敗之地?！苯衲?月，尹志堯在接受“觀察者網(wǎng)”采訪時(shí)這樣說到。