重磅！國(guó)產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)通過驗(yàn)證，將用于臺(tái)積電5nm芯片制造！

      堅(jiān)持自主創(chuàng)新，專利超800件

　　而在面對(duì)國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的挑釁，屢屢獲勝的背后，則是中微半導(dǎo)體長(zhǎng)期以來堅(jiān)持自主研發(fā)所獲得的過硬的自主技術(shù)專利。

　　據(jù)了解，目前中微的反應(yīng)臺(tái)交付量已突破582臺(tái);單反應(yīng)臺(tái)等離子體刻蝕設(shè)備已交付韓國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造商;雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)研制成功，這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。

　　同時(shí)，中微一些基礎(chǔ)的研發(fā)也不斷地跟進(jìn)尖端技術(shù)，以保證產(chǎn)品的研發(fā)能夠緊緊跟上甚至領(lǐng)先于國(guó)際上的技術(shù)發(fā)展水平。

　　中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁也表示，刻蝕尺寸的大小還與芯片溫度有一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，中微自主研發(fā)的部件使刻蝕過程的溫控精度保持在0.75攝氏度內(nèi)，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　氣體噴淋盤是刻蝕機(jī)的核心部件之一，中微半導(dǎo)體聯(lián)合國(guó)內(nèi)其他科技公司開發(fā)出了一套創(chuàng)新工藝，用這套工藝制造的金屬陶瓷，其晶粒十分精細(xì)、致密。與進(jìn)口噴淋盤相比，國(guó)產(chǎn)陶瓷鍍膜的噴淋盤使用壽命延長(zhǎng)一倍，造價(jià)卻不到五分之一。

　　正是由于在刻蝕機(jī)及相關(guān)領(lǐng)域的不斷突破和創(chuàng)新，也使得中微半導(dǎo)體在刻蝕機(jī)市場(chǎng)份額快速增長(zhǎng)。

　　資料顯示，截至2017年8月，中微已有500多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)，并在海內(nèi)外 27 條生產(chǎn)線上生產(chǎn)了約 4000 多萬片晶圓;同時(shí)，中微還開發(fā)了 12 英寸的電感型等離子體 ICP 刻蝕機(jī);此外，中微還開發(fā)了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蝕設(shè)備，不僅占有約50%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，而且已進(jìn)入臺(tái)灣、新加坡、日本和歐洲市場(chǎng)，尤其在 MEMS 領(lǐng)域擁有意法半導(dǎo)體(ST)、博世半導(dǎo)體(BOSCH) 等國(guó)際大客戶。

　　而在專利方面，中微半導(dǎo)體共申請(qǐng)了超過800件相關(guān)專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，并且有一半以上已獲授權(quán)。

　　目前尹志堯的團(tuán)隊(duì)精英中，上百人都曾是美國(guó)和世界一流的芯片和設(shè)備企業(yè)的技術(shù)骨干，大都有著20到30多年半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造的經(jīng)驗(yàn)。而且這些工程師們必須有著物理、化學(xué)、機(jī)械、工程技術(shù)等50多種專業(yè)知識(shí)背景。

　　今年4月，中微半導(dǎo)體 CEO 尹志堯在公開合表示，目前中微半導(dǎo)體在全球各地已經(jīng)建置共計(jì) 582 臺(tái)刻蝕反應(yīng)臺(tái)，并預(yù)期今年將增長(zhǎng)至 770 臺(tái)。目前中微半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入第三代 10nm、7nm 工藝，并進(jìn)入晶圓廠驗(yàn)證生產(chǎn)階段，即將進(jìn)入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工藝。

　　尹志堯表示，未來十年將持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，中微的目標(biāo)是：2020 年 20 億元、2050 年 50 億元，并進(jìn)入國(guó)際五強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備公司。

　　5nm刻蝕機(jī)意味著什么?

　　不過，需要注意的是中微半導(dǎo)體5nm刻蝕機(jī)的研發(fā)成功和獲得臺(tái)積電采用，并不代表著中國(guó)大陸就可以自己生產(chǎn)5nm工藝芯片了。因?yàn)樾酒纳a(chǎn)工藝非常的復(fù)雜，刻蝕只是眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)當(dāng)中的一環(huán)。

　　但是，很多自媒體為了吸引眼球，卻往往故意夸大事實(shí)，以點(diǎn)概面，以5nm刻蝕機(jī)這一個(gè)環(huán)節(jié)上的突破，就大肆宣揚(yáng)“中國(guó)已打破國(guó)外壟斷，掌握5nm技術(shù)”、“中國(guó)已可以制造5nm芯片”。

　　在去年尹志堯在接受央視媒體采訪曾表示，“國(guó)際上最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)公司像英特爾、臺(tái)積電、三星，它們的14nm已經(jīng)成熟生產(chǎn)了，10nm和7nm很快進(jìn)入生產(chǎn)，所以我們必須超前，5nm今年年底基本上就要定了，現(xiàn)在進(jìn)展特別快，幾乎一年兩年就一代，所以我們就趕得非常緊?！?/p>

　　顯然，尹志堯在視頻中所指的5nm是指的5nm的刻蝕機(jī)。但是，隨后這段采訪就被一大波媒體斷章取義，不顧事實(shí)的大肆吹噓。搞得尹志堯不得不在朋友圈發(fā)文辟謠：“中微不是制造芯片的，只是為芯片廠提供設(shè)備”?！叭绱藟櫬涞奈娘L(fēng)誤國(guó)誤民，給真正埋頭苦干的科學(xué)家和工程師添堵添亂添麻煩?！?/p>

　　尹志堯今年在接受采訪時(shí)再次強(qiáng)調(diào)：“宣傳要實(shí)事求是，不要夸大，更不要為吸引眼球，無中生有，無限上綱。說我們的刻蝕機(jī)可以加工5納米器件，也只是100多個(gè)刻蝕步驟中的幾步?！?/p>

　　確實(shí)，正如我們前面所說，刻蝕只是芯片制造眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)當(dāng)中的一環(huán)，在先進(jìn)制程的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域取得突破雖然可喜，但是在其他如光刻機(jī)等領(lǐng)域，中國(guó)仍處于嚴(yán)重落后。目前國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的上海微電子也只是實(shí)現(xiàn)了 90nm 光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化。

　　當(dāng)然，我們也不能妄自菲薄，除了中微半導(dǎo)體之外，不少國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商也在一些相關(guān)領(lǐng)域的先進(jìn)制程設(shè)備上取得了突破。比如，在14nm 領(lǐng)域，硅/金屬刻蝕機(jī)(北方華創(chuàng))、薄膜沉積設(shè)備(北方華創(chuàng))、單片退火設(shè)備(北方華創(chuàng))和清洗設(shè)備(上海盛美)已經(jīng)開發(fā)成功，正在客戶端進(jìn)行驗(yàn)證。

　　相信隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及設(shè)備廠商的努力，以及中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求快速增長(zhǎng)的拉動(dòng)，中國(guó)芯將會(huì)越來越強(qiáng)大。