臺(tái)積電黃金十年回顧

　　2012：營收創(chuàng)紀(jì)錄

　　臺(tái)積電在4Q12法說會(huì)上表示，公司在當(dāng)年實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)記錄的營收和利潤。雖然全球經(jīng)濟(jì)增速放緩讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收收到了影響，但是憑借平板電腦和智能手機(jī)等移動(dòng)IC的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電依然完成了出色的營業(yè)成績(jī)。2012年，臺(tái)積電產(chǎn)能迅速轉(zhuǎn)向28納米，出貨量比2011年增長了30倍。憑借著先進(jìn)的工藝，臺(tái)積電在中國的移動(dòng)IC市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　2012年，臺(tái)積電20納米FinFET產(chǎn)線正在建設(shè)中，已經(jīng)開始接受客戶20納米工藝的試產(chǎn)，16納米進(jìn)入定義和研發(fā)階段。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，未來移動(dòng)終端產(chǎn)品將改變?nèi)藗兊纳?，公司將繼續(xù)創(chuàng)新。

圖 | 臺(tái)積電2011-2013產(chǎn)能計(jì)劃和銷售分布(來源：臺(tái)積電2012財(cái)報(bào))

　　從臺(tái)積電2012年的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)可以看到，以美元計(jì)算，2012年臺(tái)積電的綜合收入為171.2億美元，凈收入為56.2億美元。凈利潤率為32.8%，比2011年的31.4%提高了1.4個(gè)百分點(diǎn)。在地域分布上看，2012年臺(tái)積電銷售額中69%來自總部設(shè)在美國的公司，14%來自亞太地區(qū)(不包括中國和日本)，來自歐洲的9%，來自中國的5%，3%來自日本。從產(chǎn)品應(yīng)用層面看，臺(tái)積電19%凈銷售額來自于計(jì)算機(jī)行業(yè)，50%來自通信，9%來自消費(fèi)者產(chǎn)品，22%來自工業(yè)和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。

圖 | 2012年的Fabless表現(xiàn)

　　2013: 引入FinFET

　　臺(tái)積電在4Q13法說會(huì)上表示，由于更高性能和更低功耗的需求，2013年臺(tái)積電28納米出貨量和收入快速增長，占據(jù)了超過80%的該細(xì)分技術(shù)節(jié)點(diǎn)的市場(chǎng)份額。2013年，臺(tái)積電在20納米上可以接受客戶的流片，預(yù)計(jì)增長速度將超過28納米，成為此后臺(tái)積電的營業(yè)支柱。2013年，先進(jìn)技術(shù)(40/45納米及以上)占臺(tái)積電晶圓總收入的50%。

　　由于采用FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，16納米獲得了更好的性能，已經(jīng)在2013年11月份進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。此外，臺(tái)積電在2013年還開始了10納米工藝的研發(fā)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，2013年后面的五年內(nèi)，每年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長率僅為3%-5%，代工工藝將邁入更具競(jìng)爭(zhēng)力的10納米，甚至是7納米。臺(tái)積電計(jì)劃在2014年的產(chǎn)能擴(kuò)張上投入約95-10億美元的資本。

圖 | 臺(tái)積電2012-2014產(chǎn)能計(jì)劃和銷售分布(來源：臺(tái)積電2013財(cái)報(bào))