<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 汽車電子 > 業(yè)界動態(tài) > 安森美半導體將在EV China 2019展示電動汽車和助推邁向自動駕駛的技術

          安森美半導體將在EV China 2019展示電動汽車和助推邁向自動駕駛的技術

          作者: 時間:2019-07-05 來源:汽車電子應用 收藏
          編者按:汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV),并采用將最終實現(xiàn)全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導體在這一領域處于技術前沿,持續(xù)開發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案,以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。

          據(jù)報道,(ON Semiconductor)將于7月3日至5日在上海舉辦的第13屆上海國際節(jié)能與新能源汽車產業(yè)博覽會(EV China 2019),展示應用于汽車功能電子化、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車照明和車身電子的方案和技術。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201907/402338.htm

          1562284228110249.png

          汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV),并采用將最終實現(xiàn)全汽車的精密ADAS。在這一領域處于技術前沿,持續(xù)開發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案,以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。

          將在其展位上作演示,使觀眾深入了解和看到這些演示的應用的可能性。在汽車功能電子化領域,安森美半導體將展示其符合車規(guī)的用于牽引逆變器的器件將直流電池電壓轉換為交流,包括最近推出的AFGHL50T65SQDC 650 V、50 A混合IGBT和碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)技術,為汽車硬開關應用提供最佳性能。

          此外,安森美半導體將展示其寬禁帶()技術,演示650  V SiC肖特基二極管晶圓及1200 V、80 mΩ SiC MOSFET晶圓。經AEC-Q 101汽車認證的SiC二極管和SiC MOSFET為重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC和電動汽車車載充電器應用帶來寬禁帶技術的使能、廣泛的性能優(yōu)勢。SiC器件結合高功率密度和高能效工作,占位更小,可顯著減小整個系統(tǒng)的尺寸并降低成本。

          安森美半導體也將展示其支持的激光雷達(LiDAR)和圖像感知技術,可互為補足用于精密ADAS和方案。

          其它演示將令觀眾清晰地了解安森美半導體用于電動汽車充電樁、先進LED照明及車身電子應用的方案,如插電式混合動力汽車(PHEV)和EV的正溫度系數(shù)(PTC)加熱、泊車輔助和靜音工作冷卻風扇等。



          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();