國產芯片真金質！基本半導體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。

國產芯片真金質，不懼火煉過樓蘭。

——鄭廣州

國創(chuàng)中心副總經理

8月14日，國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心（簡稱“國創(chuàng)中心”）邀請基本半導體等13家國內整車和半導體企業(yè)的專家，實地開展“中國車規(guī)半導體首批測試驗證項目吐魯番高溫試驗”活動，并舉行了車規(guī)半導體測試驗證項目高溫測試技術研討會。

自2019年7月底開始，國創(chuàng)中心攜搭載了國產自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）的4輛試驗車，在吐魯番進行為期一個月的“極限高溫”測試項目，這也是國產車規(guī)半導體搭載驗證的試驗項目之一。

單車累計6000公里的高溫試驗，以驗證在高溫真實車況下，國產自主車規(guī)半導體的性能和可靠性表現(xiàn)。通過反復驗證國產車規(guī)半導體在各種極端情況下的質量狀況和適應能力，并通過對標試驗，與國外競品進行全項目對比分析，發(fā)現(xiàn)問題并實施改進措施，為最終助推國產自主車規(guī)半導體上車應用達成最高的安全保障。在測試同期舉辦的研討會上，與會專家對此次車規(guī)半導體測試驗證項目給予高度評價，共同探討半導體行業(yè)和汽車行業(yè)的產業(yè)合作模式。

為了推動我國汽車產業(yè)可持續(xù)高質量發(fā)展，保障我國建設世界汽車強國目標的盡早實現(xiàn)，培育和提升國產自主車規(guī)半導體企業(yè)的技術研發(fā)和質量控制能力，助推國產自主車規(guī)半導體上車應用，國創(chuàng)中心秉承國家戰(zhàn)略要求，整合行業(yè)資源，聯(lián)合半導體行業(yè)的合作伙伴和汽車行業(yè)的專家共同開展“國產自主車規(guī)半導體測試認證”項目。下一步，國創(chuàng)中心還將開展國產自主車規(guī)半導體器件的試驗室測試、對標測試及整車搭載的高寒測試。

在此次測試中，試驗車搭載了基本半導體自主研發(fā)的碳化硅功率器件。基本半導體作為中國第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)、深圳第三代半導體研究院發(fā)起單位之一，旗下碳化硅器件產業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等環(huán)節(jié)?；景雽w先后推出650V/4A～40A、1200V/5A～50A、1700V/5A～20A的全電流電壓等級碳化硅二極管，通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，以及車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能對標國際一流半導體廠商的最新產品。

其中，高性能1200V 碳化硅MOSFET采用了平面柵碳化硅工藝，具有短路耐受時間長、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導通電阻低等特點，已小批量生產并廣泛應用在電機驅動器、開關電源、光伏逆變器和車載充電等領域；用于電動汽車逆變器、對標特斯拉Model 3所采用器件的車規(guī)級全碳化硅MOSFET模塊已完成工程樣品開發(fā)，將聯(lián)合國內主流車廠開展測試。同時，基本半導體年內還與廣州廣電計量檢測股份有限公司達成戰(zhàn)略合作，加快推出首款符合AEC-Q101檢測標準的碳化硅肖特基二極管。

未來，基本半導體將繼續(xù)打造高質量的國產車規(guī)級碳化硅功率器件，積極參與國內車規(guī)半導體標準體系和測試認證體系的建設，致力實現(xiàn)車規(guī)半導體的自主可控、國產替代。