簡單的速率控制技術(shù)可降低開通能耗

　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）

　　摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達(dá)）中的開關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運(yùn)行中是無法自主進(jìn)行調(diào)整的。

　　本文將介紹一種通過并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評估。

　　關(guān)鍵詞：馬達(dá)；開關(guān)損耗；EMI；開關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動

　　0 引言

　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個優(yōu)化目標(biāo)。首先，應(yīng)通過選擇電阻值較小的柵極電阻，使功率晶體管的開關(guān)速度更快。這將自動降低開關(guān)損耗，從而降低總體損耗。其次，柵極電阻還可降低開關(guān)速度，比如dv_CE /dt或di_C /dt。這可使柵極電路中發(fā)生的由寄生雜散電感或耦合電容引起的振蕩減少。因此，必須通過折中的辦法在給定版圖中實(shí)現(xiàn)相對最優(yōu)。然而，只需管理特定的工況點(diǎn)（如臨時過載或輕載條件）就已足夠。這些條件會使開關(guān)速度比應(yīng)用系統(tǒng)正常運(yùn)行時更慢。

　　電氣驅(qū)動在低負(fù)荷條件下運(yùn)行，是輕載條件的典型范例。由于來自二極管的換向電流很小，所以流入IGBT的正向電流也很小，在對應(yīng)的IGBT導(dǎo)通速度太快時，可能造成嚴(yán)重振蕩。如果正向電流能達(dá)到標(biāo)稱電流 ^[1] 的25%或以上，則這些振蕩可以被大幅度地減弱甚至消除。

　　1 推薦的柵極驅(qū)動概念

　　正常的柵極驅(qū)動電路如圖1所示。1個柵極驅(qū)動器的開通電流和關(guān)斷電流大小取決于柵極電阻的柵極電流。電流i _OUT+ 給功率晶體管的柵極充電，而電流i _OUT-給功率晶體管的柵極放電。

　　除了更復(fù)雜的柵極驅(qū)動電路 ^[1] 或IPM ^[2] 之外，提議的柵極驅(qū)動系統(tǒng)由圖1中所示的兩種常規(guī)柵極驅(qū)動芯片組成。

　　圖2顯示了推薦的開通電流能力得以改進(jìn)的柵極驅(qū)動概念。將型號為1EDI60I12AF的2個柵極驅(qū)動器并聯(lián)。2個IN+并接被用于常規(guī)PWM輸入信號。柵極驅(qū)動芯片IC2的端子IN-被用于是否選擇芯片IC2一起參與輸出。該信號可由應(yīng)用控制簡單生成，也能用與開關(guān)性能有關(guān)的傳感信號來控制，比如自溫度或集電極電流。啟用IC2芯片可以給柵極電流i _g 注入另一個分量i _OUT+2 從而一起參與開通過程。

　　如圖2所示，只有驅(qū)動芯片IC1可以用于關(guān)斷。不然可能出現(xiàn)IC1在輸出電流而IC2在吸收電流的情況，所以IC2的灌電流功能不能同時使用。這會導(dǎo)致芯片中或相關(guān)柵極電阻中出現(xiàn)過度的功率損耗。

　　柵極電流 i _{g ( t )} 的時間控制如圖3所示。如圖3中上圖所示，在低負(fù)荷條件下，用于導(dǎo)通和關(guān)斷的柵極電流只能由芯片IC1提供。導(dǎo)通性能可以根據(jù)個別應(yīng)用需求或設(shè)計準(zhǔn)則（比如驅(qū)動系統(tǒng)中的最大 dv_CE /dt）進(jìn)行調(diào)整 ^[3] 。參見圖2可知，可以通過對IC2的IN- 端施加低電平信號，來實(shí)現(xiàn)高負(fù)荷運(yùn)行和低負(fù)荷運(yùn)行之間的切換。它可激活I(lǐng)C2的電流輸出端，從而實(shí)現(xiàn)更快速的開通。選擇IC2的OUT+端的附加導(dǎo)通柵極電阻值時，必須能使功率晶體管的導(dǎo)通性能再次滿足應(yīng)用需求。

　　2 測量結(jié)果評估

　　圖4所示為開通電流能力得以改進(jìn)的柵極驅(qū)動概念下，不同柵極電阻和集電極電流IC的導(dǎo)通能耗 E _on和dv_CE /dt的雙脈沖試驗(yàn)的結(jié)果。柵極電阻從10~47 ?不等（常規(guī)解決方案對應(yīng)的是實(shí)線），集電極電流位于標(biāo)稱電流的10%～100%之間。軟件計算90%/10%的dv_CE /dt值。供試功率晶體管為英飛凌的40 A/1 200V IGBT（IKW40N120T2）。

　　壓擺率 dv_CE /dt在集電極電流區(qū)間內(nèi)持續(xù)上升。2個柵極驅(qū)動器各自的柵極電阻為 R _g1 = ? 18 和R _g2 = ? 47 。應(yīng)用推薦的柵極驅(qū)動技術(shù)可以在較小的集電極電流區(qū)間內(nèi)使用柵極電阻 R g1 。根據(jù)推測，圖4中與 R _g = ? 20 對應(yīng)的綠線將獲得與 R g = ? 18 類似的結(jié)果，但 dv_CE /dt會小一些。在標(biāo)稱電流50%（ I _C = 20A ）以上，切換到同時使用2顆柵極驅(qū)動芯片（就是R _g 為13 ?）并行運(yùn)行的情況。

　　開通損耗如圖4中的下圖所示。使用本文推薦的柵極驅(qū)動時，它在標(biāo)稱電流（I _C = 40A）條件下，可從4.8 mJ 下降到3.6 mJ。這相當(dāng)于開通損耗E _on 被降低了25%左右。

　　3 結(jié)論

　　由于2個輸出端的柵極電阻可以相互獨(dú)立地進(jìn)行選擇，所以給每個功率晶體管使用2顆柵極驅(qū)動器，再加上能夠自主選擇運(yùn)行的柵極驅(qū)動器，可以作為改進(jìn)功率晶體管性能的簡單方法。只需簡單地使用2顆柵極驅(qū)動芯片，即可實(shí)現(xiàn)開通電流能力或關(guān)斷電流能力的改進(jìn)。而且，相比使用功能相同的分立式解決方案，使用柵極驅(qū)動芯片（如英飛凌的1EDI60I12AF）還可減輕設(shè)計工作負(fù)擔(dān)。只需遵循常規(guī)設(shè)計準(zhǔn)則，即可獲得開通能耗 E _on最多降低25%和開通電流能力獲得改進(jìn)的益處。因此，推薦的柵極驅(qū)動概念比常規(guī)解決方案的表現(xiàn)更勝一籌。

　　參考文獻(xiàn)：

　　[1] FRANK W.Real-time adjustable gate current controlIC solves dv/ dt problems in electric drives, Proc[C]. PCIM2014.

　　[2] Mitsubishi：System Benefits of Using G1 SeriesIntelligent Power Modules (IPM)[J].Bodo′s PowerMagazine,2017(3).

　　[3] Gambica Association：Motor Insulation VoltageStresses Under PWM Inverter Operation[M].Technicalreport,No1,3 rd ed. UK, 2006.

　?。ㄗⅲ罕疚膩碓从诳萍计诳峨娮赢a(chǎn)品世界》2020年第06期第xx頁，歡迎您寫論文時引用，并注明出處。）