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          國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

          —— 國產(chǎn)128層QLC閃存已問世 武漢國家存儲器基地項目二期開工
          作者: 時間:2020-06-21 來源:快科技 收藏

          4年前的2016年,國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期,不僅量產(chǎn)了64層,今年初還研發(fā)成功。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動,整個項目投資高達240億美元,約合1697億元。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202006/414491.htm

          在開工儀式上,紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示,國家存儲器基地項目一期開工建設以來,從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠,實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。

          趙偉國表示,國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工,計劃分兩期建設3D NAND芯片工廠,總投資240億美元。其中一期主要實現(xiàn)技術突破,并建成10萬片/月產(chǎn)能,二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月,兩期項目達產(chǎn)后月產(chǎn)能共計30萬片。

          今年4月13日,長江存儲重磅宣布,其 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。

          按照長存的說法,這款產(chǎn)品的獨特之處在于,它是業(yè)內(nèi)首款規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

          目前長江存儲正在不斷提升產(chǎn)能,今年底的目標將達到10萬片晶圓/月的產(chǎn)能,這也是整個國家存儲器基地一期工程的目標。

          國產(chǎn)128層QLC閃存已問世 武漢國家存儲器基地項目二期開工





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