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          淘汰FinFET 升級(jí)革命性GAA晶體管:臺(tái)積電重申2025量產(chǎn)2nm

          作者: 時(shí)間:2023-01-13 來(lái)源:快科技 收藏

          在今天的說(shuō)法會(huì)上,透露了新一代的進(jìn)展,3nm已經(jīng)開始量產(chǎn),2023年放量,有多家客戶下單,再下一代的是,CEO重申會(huì)在2025年量產(chǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202301/442627.htm

          與3nm工藝相比,工藝會(huì)有重大技術(shù)改進(jìn), 放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管, 后者是面向甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵,可以進(jìn)一步縮小尺寸。

          相比3nm工藝,在相同功耗下, 2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

          不過(guò)2nm工藝的晶體管密度可能會(huì)擠牙膏了,相比3nm只提升了10%,遠(yuǎn)低于以往至少70%的晶體管密度提升。



          關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 工藝 2nm

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