探索埃米世代導(dǎo)線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎?
自1990年代中期,銅(Cu)一直用于后段制程,作為內(nèi)連導(dǎo)線(interconnect)與通孔(via)的主流金屬材料。這些年來,銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長年不敗的優(yōu)良導(dǎo)電性與可靠度,因此過去認(rèn)為在芯片導(dǎo)線應(yīng)用上無需替換這位常勝軍。
但隨著技術(shù)世代演進(jìn),局部導(dǎo)線層持續(xù)微縮,關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下,銅材的電阻會急遽增加,進(jìn)而影響電路的整體性能。
銅世代告終?
此外,銅材需要阻障層(barrier)、襯墊層(liner)與覆蓋層(cap layer)才能維持良好的可靠度;這些外加的組件層能盡量避免銅原子向周圍的介電材料擴(kuò)散(進(jìn)而降低發(fā)生介電崩潰的風(fēng)險(xiǎn)),同時(shí)維持良好的材料附著性。然而,這些組件層(通常具備高電阻)跟不上導(dǎo)線的微縮程度,很難持續(xù)薄化,因此在金屬層越來越占空間,還無法協(xié)助改善組件的導(dǎo)電性。
銅材在小尺寸組件上的性能堪憂,迫使導(dǎo)線工程團(tuán)隊(duì)著手尋找替代金屬與新一代金屬化制程。最初關(guān)注的是純金屬,亦即結(jié)構(gòu)最為單一的導(dǎo)體,相關(guān)研究也有詳細(xì)數(shù)據(jù)紀(jì)錄。有趣的是,結(jié)果發(fā)現(xiàn),被認(rèn)定為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的銅材在小尺寸應(yīng)用上的預(yù)期性能最低,其它像是鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Ro)、銥(Ir)與鉬(Mo)等金屬的性能反而更佳。這些替代的導(dǎo)體材料在大尺寸應(yīng)用的電阻比銅材還高,但在導(dǎo)線微縮時(shí),電阻的增幅較緩,因此可能更適合用于小尺寸設(shè)計(jì)。盡管如此,上述這些金屬材料在例如納入原料成本與環(huán)境影響的考慮時(shí)會較不合適。
圖一 : 六種金屬元素在不同厚度的薄膜上測得的電阻值。
超越純金屬 開拓全新研究領(lǐng)域
大約5年前,imec決定將研究領(lǐng)域延伸至化合物。背后動機(jī)是想要解答:我們能不能找到在小尺寸導(dǎo)線應(yīng)用上勝過銅材(與其它純金屬)電阻與可靠度的二元或三元有序化合物(介金屬)材料?又有哪些無需擴(kuò)散阻障層或黏著襯墊層?2018年國際芯片導(dǎo)線技術(shù)會議(International Interconnect Technology Conference)上發(fā)表的首批研究成果奠定了樂觀前景。自此,全球有數(shù)個研發(fā)團(tuán)隊(duì)采納了這個研究方向,持續(xù)探索替代合金,目前尤其專注在二元材料。
圖二 : 二元介金屬的第一原理(ab initio)測試結(jié)果;?0即塊材電阻,?即電子的平均自由路徑。
不過尋找新的金屬材料并不容易,還必須面對各式挑戰(zhàn)。首先,材料組合有非常多的可能性,加上不少金屬的材料特性都還未針對小尺寸設(shè)計(jì)進(jìn)行仔細(xì)研究。很多時(shí)候甚至沒有詳細(xì)的物理特性研究。那么,在思考如何進(jìn)行實(shí)驗(yàn)以前,有什么絕佳方法能讓我們精簡這一長串清單呢?我們又該如何確定做出的選擇是符合成本效益的長久之計(jì)?還有,這些合金在真正的金屬化制程中具備穩(wěn)定度和兼容性嗎?
本文將呈現(xiàn)一套獨(dú)特精練的方法來排序所有的候選材料,根據(jù)第一原理(ab initio)計(jì)算、實(shí)驗(yàn)與模型來定出最終名單。接著,我們會提出幾種具有發(fā)展?jié)摿Φ牟牧?,并探討未來如何將它們?dǎo)入先進(jìn)的金屬化制程。
計(jì)算原子結(jié)構(gòu) 聚焦理想合金
超過5000種的材料組合能制成具有導(dǎo)電性的二元合金,三元合金的組合數(shù)量甚至更多,所以需要一些指引來加速研發(fā)并進(jìn)行揀選。舉例來說,單看(塊材)電阻就會太過狹隘,因?yàn)閷?dǎo)體在小尺寸下可能具備更佳性能。
因此,要選出最具潛力的替代材料,第一步就是識別最適合用來與銅材比較的性能指針。imec內(nèi)連導(dǎo)線研究團(tuán)隊(duì)提出了兩項(xiàng)質(zhì)量因素:內(nèi)聚能以及塊材電阻與平均自由路徑之乘積。
電阻與平均自由路徑之乘積:預(yù)測材料在小尺寸下的電阻增幅
作為未來導(dǎo)線的材料,金屬的塊材電阻與其內(nèi)部載子的平均自由路徑應(yīng)該越小越好。載子的平均自由路徑越小,就越不容易受到由粒子大小決定的表面散射或晶界散射影響。因此,導(dǎo)線材料具備越小的平均自由路徑,就代表其電阻越不受導(dǎo)線尺寸影響。
雖然電阻和平均自由路徑都是重要的性能指針,但為了方便計(jì)算,我們?nèi)烧咧朔e作為初步篩選的其中一項(xiàng)質(zhì)量因素,而未來導(dǎo)線的理想材料必須具備比銅(塊材電阻率為1.7μΩ.cm,平均自由路徑為39nm)還高的數(shù)值。
內(nèi)聚能:顯示材料的本質(zhì)可靠度
第二項(xiàng)質(zhì)量因素是內(nèi)聚能,作為一種評估導(dǎo)體在導(dǎo)線應(yīng)用上的可靠度的代理指針。導(dǎo)線的可靠度通常受到兩種現(xiàn)象影響。其一,導(dǎo)體可能受到電遷移影響,也就是因?yàn)榇箅娏?、熱運(yùn)動引發(fā)的原子擴(kuò)散或是應(yīng)力梯度作用等而產(chǎn)生的金屬離子飄移現(xiàn)象。其二,有些金屬容易向周遭的介電材料擴(kuò)散。倘若沒有阻障層,這就可能導(dǎo)致介電崩潰。上述兩種現(xiàn)象可以用來判斷金屬原子從導(dǎo)線材料中脫離的難易度,這能以金屬材料的內(nèi)聚能來表示,銅為4eV。
這兩項(xiàng)質(zhì)量因素皆能從計(jì)算原子結(jié)構(gòu)得出,就是基于個別材料的電子結(jié)構(gòu)所進(jìn)行的固態(tài)物理描述,而我們根據(jù)第一原理(ab initio)仿真得出的結(jié)果以視覺呈現(xiàn)在圖表上。只有具備與銅相當(dāng)或更高內(nèi)聚能,且具備更低電阻與平均自由路徑之乘積的金屬合金會被選來進(jìn)一步研究。
在進(jìn)入正式篩選前,還有其它因素需要考慮。例如,這些合金對介電材料的附著性好嗎?這些化合物能否在熱力學(xué)上呈現(xiàn)穩(wěn)定相態(tài)?如果需要退火才能維持穩(wěn)定的有序相態(tài),那么所需溫度能否與后段制程兼容?這些合金會包含有毒或是稀有化合物嗎?材料成本呢?深入探討材料科學(xué)可以幫助我們從先前取得的長串清單中揀選部分合適的材料組合進(jìn)行研究。
材料測試:評估實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線微縮的可能性
縮減材料清單是第一步,接著是在12吋晶圓上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)以驗(yàn)證理論概念。此次實(shí)驗(yàn)取得的數(shù)據(jù)也會用來饋入模型,幫助了解導(dǎo)體在小尺寸組件上的性能表現(xiàn)。
在其中的一系列實(shí)驗(yàn)中,研究人員在空白晶圓上鍍了不同厚度的薄膜,并測量這些薄膜的電阻。另一系列的實(shí)驗(yàn)則是在測試組件上設(shè)計(jì)T型的圖形化結(jié)構(gòu),這與導(dǎo)線應(yīng)用相關(guān),可以用來研究這些材料實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線微縮的可能性。有些材料組合的塊材電阻會比銅還高,但為了維持競爭優(yōu)勢,不能高出太多,而且增幅應(yīng)該更緩,在10nm以下的尺寸與銅相當(dāng)或擊敗銅,因?yàn)檫@是銅的瓶頸所在。
這些實(shí)驗(yàn)也提供了有關(guān)利用第一原理計(jì)算材料特性的準(zhǔn)確性。
確認(rèn)理想材料:從二元鋁合金到三元碳氮化合物
根據(jù)第一原理進(jìn)行的仿真結(jié)果顯示,許多二元合金具備理想的材料特性,包含基于鋁、銅、釕的化合物,雖然其實(shí)還有其它不錯的材料組合?,F(xiàn)在世界各地的研究團(tuán)隊(duì)都在調(diào)查這些二元合金的電阻表現(xiàn)。2019年與2022年,亞洲與美洲就有一些相關(guān)發(fā)表。2021年IEEE國際內(nèi)連技術(shù)會議(IITC)上,imec發(fā)表有關(guān)鋁合金薄膜采用12吋晶圓制程的電阻研究成果,包含鋁化鎳(AlNi)與鋁銅(AlCu)合金。雖然全球致力于研究工作,顯示了對新興導(dǎo)體材料的迫切需求,確實(shí)也有進(jìn)展,但在材料開發(fā)與制程整合上仍有嚴(yán)峻挑戰(zhàn)需要克服。
圖三 : 一些獲選進(jìn)行研究的二元合金電阻特性。
imec團(tuán)隊(duì)也曾考慮開發(fā)復(fù)雜度更高的三元化合物,但因?yàn)榭赡艿牟牧辖M合數(shù)量太過龐大,甚至不可能以第一原理進(jìn)行初步篩選。三元化合物的物理特性大都還不清楚,即使都是金屬也是如此。因此,我們必須選擇已經(jīng)經(jīng)過研究的特定金屬,例如MAX相,它是由早期過渡金屬(即metal,縮寫為M)、A族元素(為13族或14族元素,縮寫為A)與碳化物或氮化物(縮寫為X)組成。有些MAX相可能具備比純金屬還要佳的性能,因此可望納入未來研究。
圖四 : 目前有不少M(fèi)AX相的化合物受到關(guān)注。
圖五 : 以銅(Cu)與釕(Ru)作為參照,具備穩(wěn)定相態(tài)的MAX相在電阻與內(nèi)聚能方面的表現(xiàn):(圖左)211型MAX相(圖右)312型與413型MAX相。淺灰與深灰區(qū)域分別代表MAX相可能勝過銅或釕的情形。
未來發(fā)展:開發(fā)金屬化制程與評估永續(xù)性
然而,這些經(jīng)過圖形化的測試組件并未完整仿真導(dǎo)入實(shí)際導(dǎo)線制程的復(fù)雜程度。因此,我們的團(tuán)隊(duì)會在不久的將來采取下一步行動:把最具發(fā)展?jié)摿Φ暮辖鸩牧蠈?dǎo)入相關(guān)的導(dǎo)線制程,同時(shí)研究有關(guān)后段制程的技術(shù)挑戰(zhàn)。
這些替代金屬主要用于最關(guān)鍵的(局部)導(dǎo)線層,作為前衛(wèi)的解決方案。imec規(guī)劃的后段制程發(fā)展藍(lán)圖預(yù)期會將這些新興材料用于半鑲嵌導(dǎo)線制程,其中必須直接在可圖形化的金屬材料上進(jìn)行蝕刻,以制成高深寬比的導(dǎo)線。至于上層導(dǎo)線,銅材依然會是最佳的金屬材料。
圖六 : 包含二元合金的多層組件架構(gòu)示意圖:二元合金可作為導(dǎo)線與耐火的純金屬通孔。
在半鑲嵌制程導(dǎo)入這些二元或三元合金將會帶來導(dǎo)線整合的技術(shù)挑戰(zhàn)。例如,我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)首要挑戰(zhàn)就是控制薄膜材料的化學(xué)計(jì)量與表面氧化現(xiàn)象。后續(xù)的實(shí)驗(yàn)也要為了方便進(jìn)行導(dǎo)線圖形化而朝向優(yōu)化蝕刻制程發(fā)展。
這些研究未來也會進(jìn)行永續(xù)性評估。供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)與成本分析可以在材料探索的早期階段進(jìn)行,但是評估制程的環(huán)境足跡需要透過詳細(xì)了解每個制造步驟來實(shí)現(xiàn)。例如包含獲取更多的化學(xué)知識,這樣才能開發(fā)新興導(dǎo)體的蝕刻技術(shù),或是了解所需的退火技術(shù)和生成化合物所需的衍生物等等。
結(jié)語
imec在約5年前開始探索未來導(dǎo)線應(yīng)用所需的替代二元與三元金屬材料,現(xiàn)在這已成為備受全球關(guān)注的新興研究領(lǐng)域。我們在本文提供了一套獨(dú)特方法作為指引,用來聚焦最具發(fā)展?jié)摿Φ暮辖鸩牧?。首先是?jì)算兩項(xiàng)質(zhì)量因素,并搭配實(shí)驗(yàn)與模型。透過這套方法,數(shù)個二元與三元MAX相的合金展現(xiàn)了深具前景的材料特性,有利于進(jìn)行未來研究。
評論