Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性——而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202311/452623.htm
這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統常用于高性能領域，如計算（人工智能、服務器、電信、數據中心）、能源和工業（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業市場。目前，氮化鎵在這一市場領域的全球潛在市場規模(TAM)達25億美元。值得關注的是，該新型功率器件是目前快速發展的人工智能(AI)系統最佳解決方案，AI系統依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10到15倍。
目前，各種高性能領域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統提供電力支持，應用領域包括數據中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用于電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用，因為核心SuperGaN芯片已通過汽車行業(AEC-Q101)標準認證。
TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，給予了客戶最廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設計需求。與所有Transphorm產品一樣，該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平臺所固有的性能和可靠性優勢。如需詳細了解SuperGaN與 e-mode氮化鎵的對比分析，請下載Transphorm公司最新發布的白皮書『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』，該技術白皮書的結論與Transphorm今年初發布的一份對比報告相一致——該比較顯示，在一款市售280W電競筆記本電腦充電器中，使用72 毫歐 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode器件，充電器的性能會更好。
SuperGaN 器件憑借無比卓越的性能引領市場：
l可靠性：FIT< 0.03
l柵極安全裕度：± 20 V
l抗噪性：4 V
l電阻溫度系數（TCR）比 e-mode 器件低 20%
l驅動方式更靈活：利用硅基控制器/驅動器中現成的標準驅動和保護電路
器件規格
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩健，且已獲得JEDEC資格認證。由于常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓硅管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用于各種軟/硬開關的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和總成本。
供貨情況和設計開發資源
SuperGaN TOLL 封裝器件目前可提供樣品。
基于該TOLL封裝器件的系統開發和優化，請參考如下應用指南：
AN0009：Transphorm 氮化鎵 FET 的推薦外部周邊電路
AN0003：針對氮化鎵功率開關的印刷電路板布局和量測
AN0014：適用于中低功率氮化鎵 FET 應用的低成本、高密度、高電壓硅驅動器
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