Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統實現卓越的熱性能和電氣性能
代表著下一代電源系統未來的,氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN? FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通電阻為72毫歐,為業界首個采用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。針對不適合使用傳統底部散熱型表貼器件的系統,TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT 封裝,不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247插孔封裝,還具有基于SMD的印刷電路板組裝(PCBA)實現高效制造流程的額外優勢。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202311/453422.htmTP65H070G4RS 采用了 Transphorm 強大的高性能 650 V 常閉型 d-mode 氮化鎵平臺,該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態電阻,從而效率優于硅、碳化硅和其他氮化鎵產品。SuperGaN 平臺的優勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合,為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統成本更低的電源系統客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
Transphorm正在與全球多個高功率GaN合作伙伴展開合作,包括服務器和存儲電源領域的領先客戶,能源/微逆變器領域的全球領導者,創新型離網電源解決方案制造商,以及衛星通信領域的領軍企業。
Transphorm 業務發展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示:“TOLL 和 TOLT 這樣的表面貼裝器件具有降低內部電感,以及在制造過程中更簡單的板載安裝等諸多優勢。TOLT 通過采用頂部散熱來提供更靈活的整體熱管理,具有類似插孔式的散熱性能。這些器件通常用于中高功率系統應用,關鍵細分市場包括高性能計算(服務器、電信、人工智能電源)、可再生能源和工業、以及電動汽車等。目前,其中一些市場應用已采用了Transphorm的氮化鎵技術。我們非常高興能夠通過TOLT SuperGaN 解決方案幫助客戶實現額外的系統級優勢?!?/p>
繼最近推出三款新型TOLL FET 后,Transphorm發布該款TOLT FET新產品,進一步豐富了 Transphorm 的產品線,并彰顯了Transphorm SuperGaN 平臺采用不同封裝形式器件“鎵”馭全功率以支持客戶應用的市場承諾。
器件規格
SuperGaN 器件憑藉其無與倫比的性能優勢引領市場:
● 可靠性:FIT失效率低于0.05
● 柵極安全裕度:± 20 V
● 抗擾性:4 V
● 電阻溫度系數(TCR)比 e-mode 常閉型氮化鎵器件低 20%
● 驅動靈活性(可采用標準的市售硅器件驅動器)
該650 V SuperGaN TOLT 封裝器件穩健可靠,已通過 JEDEC 標準認證。由于常閉型 d-mode 平臺是將GaN HEMT與一個集成型低電壓硅 MOSFET結合,因此,SuperGaN FET 可以使用常用的市售柵極驅動器驅動,應用于各種硬開關和軟開關 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中,提高功率密度,并減少系統尺寸、重量和成本。
器件 | 尺寸 (mm) | RDS(on) (mΩ)typ | RDS(on) (mΩ) max | Vth(V) typ | Id(25°C) (A)max |
TP65H070G4RS | 10 x 15 | 72 | 85 | 4 | 29 |
訂購及支持資源
TP65H070G4RS SuperGaN TOLT 封裝器件目前可提供樣片。
評論