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          關于IGBT 安全工作區 你需要了解這兩個關鍵

          作者:時間:2023-12-15來源:得捷電子DigiKey收藏

          在  的規格書中,可能會看到, Safe Operating Area),例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個是指什么?

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202312/453943.htm

          圖片

          圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR  (圖片來源ROHM)

          的安全工作區()是使在不發生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實際上,不僅需要在安全工作區內使用IGBT,還需對其所在區域實施溫度降額。安全工作區分為正向偏置安全工作區(FB, Forward Bias Safe Operating Area)和反向偏置安全工作區(RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Area)。

          1 正向偏置安全工作區

          正向偏置安全工作區定義了IGBT導通期間的可用電流和電壓條件。

          圖片

          圖2. RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區 (圖片來源ROHM)

          上圖是RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區,可以根據具體情況分為4個領域,如下所述:

          ① 受集電極最大額定電流限制的區域

          ② 受集電極耗散限制的區域

          ③ 受二次擊穿限制的區域 (該區域會因器件設計而有所不同)

          ④ 受集電極-發射極最大額定電壓限制的區域

          2  反向偏置安全工作區

          反向偏置安全工作區定義了IGBT關斷期間的可用電流和電壓條件。

          圖片

          圖3. RGS30TSX2DHR 的反向偏置安全工作區 (圖片來源ROHM)

          上圖是 RGS30TSX2DHR的反向偏置安全工作區可以簡單分為2個有限區域,如下所述:

          1.受集電極最大額定電流值限制的區域

          2.受集電極-發射極最大額定電壓限制的區域。

          請注意,當設計的 VCE-IC 工作軌跡偏離產品本身安全工作區時,產品可能會發生出現意外故障。因此,在設計電路時,在確定與擊穿容限相關的具體特性和電路常數時,必須密切注意耗散和其他性能問題。例如,反向偏置安全工作區具有溫度特性(在高溫下劣化),VCE-IC 的工作軌跡根據柵極電阻 Rg 和柵極電壓 VGE 而變化。

          因此,有必要在了解工作環境和關斷時的最小柵極電阻值后,才進行 Rg 和 VGE 設計。



          關鍵詞: IGBT 安全工作區 SOA

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