為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0
IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202408/461608.htm泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示:
Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。
泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn),而我們的最新技術是 3D NAND 生產(chǎn)領域的一項突破。
它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比(IT之家注:High Aspect Ratio)圖形特征,同時降低對環(huán)境的影響,蝕刻速度是傳統(tǒng)介電工藝的兩倍多。
Lam Cryo 3.0 是我們的客戶克服人工智能時代關鍵 NAND 制造障礙所需的蝕刻技術。
在現(xiàn)有 3D NAND 的生產(chǎn)中,需要用從器件頂部至底部的細長垂直孔道將各層存儲單元連接起來。
而在孔道構建過程中,即使圖形特征與目標輪廓出現(xiàn)原子級的輕微誤差,也可能對存儲新品的電氣性能產(chǎn)生負面影響,并可能影響良率。
而 Lam Cryo 3.0 結合了高能密閉式等離子反應器、遠低于 0℃工作溫度以及新的化學蝕刻物質(zhì),可蝕刻出深寬比達 50:1、深度達 10μm 的通道,同時從頂部到底部的特征關鍵尺寸偏差不到 0.1%。
此外相較傳統(tǒng)介電工藝,Lam Cryo 3.0 技術的蝕刻速度是前者的 2.5 倍,能耗降低了 40%,排放量更減少了 90%。
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