發(fā)力氮化鎵,格芯獲巨額補(bǔ)貼
12月4日,據(jù)GlobalFoundries(格芯)官網(wǎng)消息,其又從美國政府獲得了950萬美元(折合人民幣約6900萬元)的聯(lián)邦資助,用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的生產(chǎn)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202412/465252.htm據(jù)介紹,這筆資金由美國國防部可信接入項(xiàng)目辦公室(TAPO)提供,是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項(xiàng)目而投入的最新資金。獲得這筆資金后,格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力,其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。
據(jù)悉,自2020年以來,包括這項(xiàng)新資金在內(nèi),格芯總共從美國政府獲得了8000多萬美元,用于支持研究、開發(fā)和全面制造氮化鎵芯片。其中包括2023年10月,格芯氮化鎵項(xiàng)目獲得了美國政府3500萬美元的資助。而在今年2月,作為芯片和科學(xué)法案的一部分,美國商務(wù)部宣布計劃向格芯提供15億美元的直接資助,用以擴(kuò)大其在美國的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。
業(yè)務(wù)進(jìn)展方面,今年6月,格芯和BAE Systems建立了合作伙伴關(guān)系,以加強(qiáng)美國國家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議,兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進(jìn)行合作,雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng),主要針對航空航天和國防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。
隨后在7月,格芯收購了Tagore Technology的氮化鎵功率產(chǎn)品組合,并在印度加爾各答創(chuàng)建了格芯加爾各答功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持,有助于推動格芯在氮化鎵芯片制造領(lǐng)域的研發(fā)和量產(chǎn)。
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