NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。后續(xù)預計還會有其他大廠跟進，消息人士透露鎧俠預計也會減產(chǎn)。

· 美國存儲芯片大廠美光發(fā)布的最新財報顯示，其2025財年第一季度（截至2024年11月）總營收87.1億美元，同比上升84.3%，符合市場預期。但從細分業(yè)務來看，美光的DRAM和NAND業(yè)務在環(huán)比層面卻有明顯分化，其中DRAM業(yè)務環(huán)比增長20%，而NAND業(yè)務卻下滑了5%，主要原因是受到了手機、汽車及工業(yè)等市場需求持續(xù)走低的影響。

預計2025財年第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降，并且影響下一季度業(yè)績，美光高管確認在閃存市場需求放緩的背景下將其NAND晶圓啟動率較此前水平下調(diào)10%并減慢制程節(jié)點轉(zhuǎn)移。美光執(zhí)行副總裁首席財務官Mark Murphy表示：“在NAND業(yè)務方面，我們正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量?！?/span>

· 三星決定在西安的NAND閃存工廠削減產(chǎn)量，平均月產(chǎn)量將從20萬片晶圓降至17萬片，減產(chǎn)幅度超過10%。這一舉措被視為三星維護盈利能力和促進市場價格穩(wěn)定的戰(zhàn)略部署。與此同時，三星在韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將進行產(chǎn)量調(diào)整，以進一步縮減整體產(chǎn)能規(guī)模。

回顧2023年初，三星在面對嚴峻市場環(huán)境時，已經(jīng)采取過減產(chǎn)措施。西安第一工廠的12英寸晶圓月產(chǎn)量從2022年第四季度的12.5萬塊削減至次年第一季度的11萬塊，減幅約12%；西安第二工廠的產(chǎn)量也從每月14.5萬塊調(diào)整至13.5萬塊，減幅約7%。三星此次再次減產(chǎn)，展現(xiàn)了其在全球NAND閃存市場波動中的審慎態(tài)度和策略調(diào)整。

· SK海力士是全球第二大NAND閃存廠商，銷售額僅次于三星，目前的NAND閃存產(chǎn)能為每月30萬片晶圓，計劃在今年上半年削減10%（30000片晶圓）的產(chǎn)量。

· 鎧俠原定于2024年10月在東京證券交易所上市，但此次IPO再次被推遲。盡管該公司在過去兩個季度開始盈利，但NAND市場仍然不穩(wěn)定。由于擔心庫存上升，以及為應對生成性AI浪潮而于2025年大規(guī)模生產(chǎn)第八代NAND設備，鎧俠計劃在第四季度（市場需求的過渡期）減少產(chǎn)量，以避免產(chǎn)能過剩問題。

在此前的上升周期時，NAND廠商為了滿足市場需求增長，不斷擴大產(chǎn)能，但此次的上升周期過于短暫，導致產(chǎn)能過剩問題凸顯。三星、SK海力士等主要廠商的部分NAND產(chǎn)能處于閑置或低利用率狀態(tài)。

據(jù)TrendForce半導體研究中心（DRAMeXchange）發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，通用NAND固定價格自2023年10月起連續(xù)五個月上漲后，在2024年3月增速減緩，維持平穩(wěn)狀態(tài)，而后從9月開始轉(zhuǎn)為下跌趨勢；2024年9月至11月，NAND價格環(huán)比分別下降11.44%、29.18%和29.8%，顯示面向存儲卡和USB設備的通用型NAND閃存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定價格在去年8月時為4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 —— 跌幅已經(jīng)超過50%，是繼2015年8月統(tǒng)計以來的最低價格。

NAND市場仍處于下行周期

2025年第一季度NAND市場將面臨嚴峻挑戰(zhàn)，供貨商庫存持續(xù)上升，訂單需求下降，平均合約價預計環(huán)比將再下降10%-15%。獲利能力進一步減弱，因此今年或許會有部分產(chǎn)品線從NAND轉(zhuǎn)向DRAM，消費端NAND價格一直到2025年下半年才可能反彈回升。

NAND制造商面臨的最緊迫問題是庫存控制。由于該行業(yè)預期制造商將降價，庫存成本上升可能會破壞定價策略并產(chǎn)生過剩供應壓力。系統(tǒng)運營商和主要云服務商（CSP）預計價格會下降，導致對短期訂單持謹慎態(tài)度，這可能會形成惡性循環(huán)，這對NAND制造商來說是不利的。

面對NAND市場持續(xù)走低的態(tài)勢，不僅美光，三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠商也都采取了減產(chǎn)措施，以阻止NAND價格的下跌趨勢，NAND市場的“寒冬”仍在無限期拉長。但如果這些減產(chǎn)措施激發(fā)整個行業(yè)采取類似行動，NAND價格可能會回升。此前實施的減產(chǎn)措施，帶動了整個供應鏈主動下單、價格上漲，使得上游企業(yè)認為限制產(chǎn)能可以平衡市場供需，從而鼓勵下游客戶提前備貨。

中國臺灣工商時報在報道指出，目前全球主要內(nèi)存制造商的庫存周轉(zhuǎn)期已恢復到10-12周的正常范圍。業(yè)界預計，如果削減產(chǎn)能無法增加出貨量，可能會實施更嚴厲的措施來減少整體供應量。

企業(yè)大規(guī)模減產(chǎn)其實難度很大：一方面，生產(chǎn)線的關(guān)停與重啟并非易事，涉及到高昂的成本、復雜的設備維護以及技術(shù)人員的調(diào)配。一旦減產(chǎn)過度，后續(xù)若市場回暖，產(chǎn)能恢復的時間差可能導致錯失商機；另一方面，減產(chǎn)決策的協(xié)同性較差，各廠商出于自身利益考量，難以達成完全一致的減產(chǎn)步調(diào)，有可能導致市場上的供應波動頻繁，價格體系混亂。

根據(jù)報道稱，三星正在考慮將其P4 NAND生產(chǎn)線的一部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為DRAM。三星設備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon表示，公司正下調(diào)通用DRAM與NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，以符合逐漸下滑的市場需求；SK海力士也有消息稱，可能將清州M14、M15X和M16工廠的部分NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)用于生產(chǎn)HBM；鎧俠方面消息顯示，由于擔心未來庫存上升，選擇減少第四季度NAND產(chǎn)量，但同時為應對生成性AI浪潮需求，鎧俠將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)第八代NAND設備，并準備投產(chǎn)最先進存儲產(chǎn)品。

PC、移動及消費產(chǎn)業(yè)出貨量維持低迷，相比之下，隨著人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，面向AI數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級固態(tài)硬盤價格相對穩(wěn)定。這在一定程度上能夠緩解今年第一季度市場所面臨的供應過剩壓力，AI驅(qū)動的大容量SSD需求成為了市場復蘇的關(guān)鍵。目前，NAND閃存市場的競爭正在慢慢升溫，加緊提升NAND產(chǎn)品的性能和容量。

NAND閃存市場新競爭

其實，自NAND閃存進入3D時代以來，芯片層數(shù)一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的焦點，堆棧層數(shù)越來越高。今年以來，隨著存儲原廠NAND制程相繼迭代，200層以上NAND的供應增加，高密度NAND在市場應用中逐步取得進展：

· 三星236層V8 TLC NAND產(chǎn)能放量增長，同時290層V9 TLC/QLC NAND開始量產(chǎn)；

· SK海力士擴大238層NAND在企業(yè)級SSD的應用，并推出321層NAND Flash；

· 鎧俠及西部數(shù)據(jù)推動218層BiSC8 NAND加速在OEM廠商的導入，采用BiSC8和CMOS鍵合技術(shù)生產(chǎn)的2Tb QLC NAND已開始送樣；

· 美光量產(chǎn)276層G9 TLC NAND，并已在面向客戶端OEM的SSD中采用。

三星宣布其半導體研究所成功完成突破性的400層NAND技術(shù)開發(fā)，且于11月將這項技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤P1廠的量產(chǎn)線上，預計將于明年下半年開始量產(chǎn)。另外，三星計劃采用新型鍵合技術(shù)，在不同的晶圓上分別創(chuàng)建單元和外圍設備，然后進行鍵合；這種方法將實現(xiàn)具有大存儲容量和出色散熱性能的“超高”NAND堆棧，非常適合用于AI數(shù)據(jù)中心的超高容量SSD。這款芯片被稱為「Bonding Vertical NAND Flash，簡稱BV NAND」，其單位面積的位密度將提高1.6倍，三星的目標是到2030年開發(fā)超過1000層的NAND芯片。

需要注意的是，1000層NAND可沒有那么好做。從理論上講，堆疊1000層以上的NAND是可行的，但需要解決堆棧過程中的沉積和蝕刻問題。具體來看，在2D NAND的發(fā)展進程中，光刻技術(shù)是推動其發(fā)展的關(guān)鍵工藝，3D NAND則完全不同，存儲單元以垂直堆疊的方式實現(xiàn)容量的增長。

除此之外，3D NAND工藝流程中最困難的部分當屬高縱深比要求的蝕刻工藝。在3D NAND結(jié)構(gòu)中，必須通過蝕刻工藝從器件的頂層到底層蝕刻出微小的圓形孔道，將存儲單元能夠垂直聯(lián)通起來。這也意味著倘若未來堆疊的層數(shù)超過1000層，芯片廠商或?qū)⑿枰媾R越來越復雜、昂貴的工藝。存儲產(chǎn)業(yè)需要找到新的解決方法不斷滿足人們?nèi)找嬖鲩L的存儲需求，當然，這也可能是一種全新的存儲介質(zhì)，各大原廠同樣深知這一點，目前也在積極投入研發(fā)當中，例如：FeRAM、MRAM、PCM、RRAM等。然而，哪種器件能夠突出重圍，成為下一代非易失性存儲器件，還需時間給出答案。

隨著AI時代的到來和對存儲需求的不斷增長，SSD在數(shù)據(jù)傳輸速度、耐用性和存儲容量方面都面臨著巨大的挑戰(zhàn)。然而，QLC SSD以其高存儲密度和優(yōu)化服務器空間的能力，以及降低能耗和總體擁有成本的優(yōu)勢，有望在市場中占據(jù)一席之地。行業(yè)專家預測，隨著視頻和圖像數(shù)據(jù)量的持續(xù)增長，TLC/QLC SSD將成為AI推理應用的主要選擇。

市場研究公司Omdia最新報告顯示，今年QLC NAND的市場規(guī)模預計將比去年增長85%，其在整個NAND閃存市場的份額將從去年的12.9%增長到今年的20.7%，增長近8個百分點。到2027年，QLC NAND將占整個NAND市場的46.4%，在短短三年內(nèi)份額有望增長超過一倍，接近目前以51%的份額占據(jù)市場主導地位的TLC產(chǎn)品。

QLC技術(shù)允許每個單元存儲4個比特（bit），而TLC為3個比特，MLC和SLC分別為2個和1個比特。這意味著與其他NAND類型相比，QLC NAND可大幅提高存儲容量。因此，QLC NAND的特性非常符合大型科技公司的需求，與傳統(tǒng)機械硬盤（HDD）相比，QLC NAND有著讀取速度更快、單位面積存儲密度更高以及功耗更低的優(yōu)勢。盡管長期以來QLC NAND有著壽命較短、寫入速度較慢的劣勢，但數(shù)據(jù)中心逐漸轉(zhuǎn)向讀取密集型工作負載之后，這些缺點已被抵消。

NAND制造商也在迅速應對QLC NAND需求的激增。業(yè)界樂觀地認為，“NAND的春天”可能會比預期來得更猛烈。與去年基于人工智能需求的HBM增長一樣，NAND市場也可能經(jīng)歷類似的長期市場形態(tài)。

目前，SSD、HDD之間的價格差距也在迅速縮小，單位容量價格差距從2015年的20倍減少至當前的約10倍。業(yè)界預計，SK海力士旗下的NAND子公司Solidigm預計將大大受益，截至2023年年底，Solidigm總產(chǎn)量的60%是QLC NAND，雖然美光的市場份額達40.1%，高于Solidigm的21.1%，但美光的產(chǎn)品主要集中在消費領(lǐng)域。用于AI服務器的高附加值QLC NAND供應很可能由Solidigm和三星主導，三星計劃在今年下半年量產(chǎn)第九代280層QLC NAND，而SK海力士通過Solidigm推出了容量達60TB的QLC固態(tài)硬盤產(chǎn)品，并在2025年準備300TB產(chǎn)品，以最大程度滿足AI導向的需求。

NAND技術(shù)的發(fā)展進度并沒有減緩，各大廠商投入大量資金進行研發(fā)和設備升級，以提高存儲密度、性能和降低成本。然而，市場低迷使得產(chǎn)品價格下降，廠商的利潤空間受到壓縮，進一步加大了成本壓力，再加上NAND市場競爭激烈，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等廠商為了爭奪市場份額，紛紛采取降價等策略，導致產(chǎn)品價格下降，市場整體利潤水平降低。就目前的種種跡象來看，NAND存儲芯片市場并未真正“復蘇”，行業(yè)仍然需要大量時間“去庫存”，而迎來真正復蘇或許還需要更多的時間。