英特爾18A節(jié)點SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢

英特爾在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點的核心。

該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進(jìn)展，實現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和 0.88 的縮放因子，這是 SRAM 技術(shù)的重大成就，曾被認(rèn)為是通過縮放優(yōu)勢實現(xiàn)的。

實施 PowerVia 技術(shù)是英特爾解決處理器邏輯區(qū)域電壓下降和干擾的首選方法。英特爾采用“環(huán)繞陣列”方案，戰(zhàn)略性地將 PowerVias 應(yīng)用于 I/O、控制和解碼器元件，同時優(yōu)化了無正面電源的位單元設(shè)計。

英特爾 18A 實現(xiàn)的 38.1 MBit/mm2 宏位密度使該公司處于強大的競爭地位。雖然臺積電報告的數(shù)字與 N2 工藝相當(dāng)，但英特爾采用 18A 的綜合方案（結(jié)合 PowerVia 和 GAA 晶體管）可能會挑戰(zhàn)三星和臺積電，其長期目標(biāo)是爭奪臺積電目前服務(wù)的優(yōu)質(zhì)客戶，包括 NVIDIA、Apple 和 AMD 等巨頭。