國研院開發(fā)新芯片 大幅提升訊號(hào)傳輸速度

　　國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號(hào)傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計(jì)今年便可運(yùn)用在顯示器上，未來將陸續(xù)與國內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計(jì)技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國研院截至目前為止的最高技轉(zhuǎn)金額。

　　新世代要求多功能、可攜式智慧行動(dòng)裝置，需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來處理，因此近年來積體電路(IC)制作漸由平面2DIC衍伸出立體結(jié)構(gòu)的3DIC，藉由IC堆疊來縮短訊號(hào)傳輸距離。目前半導(dǎo)體廠制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技術(shù)」，將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導(dǎo)線連接，距離大約50微米。

　　國研院奈米元件實(shí)驗(yàn)室前瞻元件組組長謝嘉民，過去矽穿孔技術(shù)就像101只能住1樓和頂樓，且中間只有1臺(tái)電梯(垂直導(dǎo)線)連接，訊號(hào)傳輸速度慢，積層型3D-IC技術(shù)則如同一棟2層樓的房子，卻有多部電梯可同時(shí)上下有效提高訊號(hào)傳輸速度并減少耗能。

　　謝嘉民并指出，矽穿孔技術(shù)在加熱制作第2層時(shí)，可能會(huì)損壞到已經(jīng)做好的第一層IC，但國研院開發(fā)出「奈米級(jí)雷射局部加熱法」及「奈米級(jí)超薄高品質(zhì)矽薄膜技術(shù)」，可以在加熱第2層IC時(shí)不損及第1層，突破長久以來積層型3D-IC技術(shù)的瓶頸，并將兩層IC間距離縮短到0.3微米，是現(xiàn)有技術(shù)的150分之1。