化學(xué)機(jī)械拋光 Slurry 的蛻與進(jìn)
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Slurry的發(fā)展與蛻變
“CMP技術(shù)非常復(fù)雜，牽涉眾多的設(shè)備、耗材、工藝等，可以說CMP本身代表了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的眾多挑戰(zhàn)?！卑布㈦娮拥腃EO王淑敏博士說，“主要的挑戰(zhàn)是影響CMP工藝和制程的諸多變量，而且這些變量之間的關(guān)系錯(cuò)綜復(fù)雜。其次是CMP的應(yīng)用范圍廣，幾乎每一關(guān)鍵層都要求用到CMP進(jìn)行平坦化。不同應(yīng)用中的研磨過程各有差異，往往一個(gè)微小的機(jī)臺(tái)參數(shù)或耗材的變化就會(huì)帶來完全不同的結(jié)果，slurry的選擇也因此成為CMP工藝的關(guān)鍵之一?！?P> CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括：拋光機(jī)、slurry、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。其中slurry和拋光墊為消耗品。Praxair的研發(fā)總監(jiān)黃丕成博士介紹說，一個(gè)完整的CMP工藝主要由拋光、后清洗和計(jì)量測量等部分組成。拋光機(jī)、slurry和拋光墊是CMP工藝的3大關(guān)鍵要素，其性能和相互匹配決定CMP能達(dá)到的表面平整水平（圖2）。
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