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          臺(tái)積電16納米猛催油 三星14納米緊跟添柴火

          作者: 時(shí)間:2014-05-22 來(lái)源:digitimes 收藏
          編者按:臺(tái)積電推出升級(jí)版16納米FinFETPlus版本,對(duì)手三星電子同樣推出14納米升級(jí)版本LPP,兩家暗自較勁,強(qiáng)力鼓勵(lì)客戶導(dǎo)入新版制程,火藥味十足。

            為讓FinFET制程能成功出擊,推出升級(jí)版的FinFETPlus版本,目前多數(shù)客戶都以此版本為主,近期競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(SamsungElectronics)亦跟進(jìn)效法,同樣推出14納米升級(jí)版本LPP(LowPowerPlus),目前、三星內(nèi)部都計(jì)劃提前量產(chǎn)14/制程,希望在市場(chǎng)搶得先機(jī),使得半導(dǎo)體先進(jìn)制程競(jìng)局急速增溫。不過(guò),相關(guān)制程進(jìn)度仍待業(yè)者對(duì)外正式公布。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/247220.htm

            及三星紛將在2014年底、2015年初量產(chǎn)14/16納米制程,近期業(yè)界傳出兩大半導(dǎo)體廠都力拼將14/16納米制程量產(chǎn)進(jìn)度提前,借此卡位市場(chǎng)商機(jī),同時(shí)達(dá)到技術(shù)宣示效果。

            不過(guò),目前14/16納米制程還未正式量產(chǎn)之前,臺(tái)積電及三星便開(kāi)始暗自較勁,分別推出升級(jí)版本制程,并強(qiáng)力鼓勵(lì)客戶導(dǎo)入新版制程,雙方火藥味十足。

            臺(tái)積電16納米FinFET制程已推出升級(jí)版本(16納米FinFETPlus),且立刻以升級(jí)版本取代既有16納米FinFET制程,半導(dǎo)體業(yè)者透露,原本臺(tái)積電要全面以新版本取代舊版制程,然因有極少數(shù)客戶已經(jīng)采??用舊版本作為設(shè)計(jì)參考,預(yù)計(jì)舊版本16納米FinFET制程仍會(huì)進(jìn)行量產(chǎn),但未來(lái)該世代仍會(huì)以16納米FinFETPlus版本為主。

            半導(dǎo)體業(yè)者指出,臺(tái)積電16納米FinFET制程相較于三星、英特爾(Intel)與GlobalFoundries的14納米制程,盡管效能恐略微不及,但優(yōu)勢(shì)是成本較低,且為更具競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)入量產(chǎn)后能夠一鳴驚人,臺(tái)積電內(nèi)部決定快速推出改良升級(jí)版的16納米FinFETPlus版本,讓客戶更放心下單投產(chǎn)。

            值得注意的是,三星亦仿效臺(tái)積電,在14納米制程還未量產(chǎn)之前,搶先宣示將推出升級(jí)版14納米LPP,且相較于舊版本14納米LPE(LowPowerEarly),新版本制程耗電量更低,同時(shí)效能亦進(jìn)一步提升,三星新版本14納米LPE已開(kāi)始準(zhǔn)備量產(chǎn),使得半導(dǎo)體先進(jìn)制程戰(zhàn)局彌漫濃烈的火藥味。

            半導(dǎo)體業(yè)者表示,三星14納米FinFET制程LPE版本相較于既有20納米制程,晶片速度提升20%,耗電量降低約35%,且LPP版本整體性能和耗電量表現(xiàn),更明顯優(yōu)于舊版LPE。三星提出改良版的14納米LPP制程,應(yīng)是為與臺(tái)積電正面抗衡,宣示意味濃厚,屆時(shí)臺(tái)積電與三星誰(shuí)能在14/16納米制程提前上陣,就能獲得較高勝算。

            另外,臺(tái)積電與三星不僅在14/16納米制程展開(kāi)火拼,近期業(yè)界亦傳出三星在20納米制程積極挖臺(tái)積電大客戶墻角,像是高通(Qualcomm)便是三星鎖定的頭號(hào)目標(biāo),借此對(duì)于臺(tái)積電成功搶下蘋(píng)果(Apple)處理器晶片訂單予以反擊。

            隨著臺(tái)積電首次為蘋(píng)果代工的A8處理器晶片正式量產(chǎn),2014年對(duì)于臺(tái)積電營(yíng)收貢獻(xiàn)度將逐季提升,20納米制程成為挹注臺(tái)積電2014及2015年?duì)I運(yùn)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽堋?/p>

            360°:14/16納米升級(jí)版制程

            臺(tái)積電和三星電子(SamsungElectronics)都針對(duì)旗下16納米和14納米FinFET制程推出升級(jí)改良版,臺(tái)積電發(fā)表第一個(gè)16納米FinFET制程后,接連推出16納米FinFETPlus版本,訴求速度更快、效能更高且更為低耗電,目前多數(shù)客戶都以16納米FinFETPlus版本為主。

            三星也在14納米FinFET制程上極力宣傳新版本,在既有的14納米制程還未量產(chǎn)前,推出名為14納米LPP(LowPowerPlus)的升級(jí)版,相較于舊版的14納米LPE(LowPowerEarly)版本,新版本制程的耗電量更低、效能更提升。14納米LPP預(yù)計(jì)將于2015年進(jìn)入量產(chǎn)。

            半導(dǎo)體廠都將14/16納米制程視為重要突破,因?yàn)榇蠖鄶?shù)半導(dǎo)體廠都是在14/16納米首度導(dǎo)入FinFET技術(shù)。



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