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          臺(tái)積電16nm比三星強(qiáng) 英特爾仍非競(jìng)爭(zhēng)因素

          作者: 時(shí)間:2014-06-26 來(lái)源:鉅亨網(wǎng) 收藏
          編者按:面對(duì)三星、英特爾的積極搶位,臺(tái)積電冷靜分析:英特爾專長(zhǎng)不在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域,三星的客戶信任度又不如臺(tái)積電。但是,所有事情都是變化的,若用一成不變的眼光看問(wèn)題,會(huì)有麻煩。

            (2330-TW)(TSM-US)董事長(zhǎng)張忠謀今(24)日在股東會(huì)期間表示,16奈米比三星強(qiáng)很多,至于英特爾仍不是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)因素。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/248857.htm

            他回應(yīng)股東提問(wèn)「2個(gè)勁敵」說(shuō),這兩個(gè)公司正如這位股東所說(shuō),三星在14/16奈米已經(jīng)布局蠻久了,「我們每天都在注意他們?cè)谧錾趺础挂裁刻煸贆z討「我們的競(jìng)爭(zhēng)姿態(tài)」,「我是非常滿意我們的姿態(tài)」!

            他指出,這個(gè)行業(yè)講究的三樣技術(shù)、生產(chǎn)力、客戶信任一一來(lái)看,技術(shù)上,16奈米技術(shù)超過(guò)了三星且比他要好,英特爾則還不再這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)里頭,英特爾他的技術(shù)主要在大CPU而我們則在行動(dòng)裝置市場(chǎng),因此英特爾還不是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)因素!

            第二生產(chǎn)能力,他指出產(chǎn)能來(lái)說(shuō),臺(tái)積電與三星比來(lái)說(shuō)又是強(qiáng)很多,英特爾也仍不是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)因素。第三看客戶關(guān)系與信任供應(yīng)者,這一點(diǎn)上,「相信我們的客戶的信任是遠(yuǎn)優(yōu)過(guò)客戶對(duì)三星的信任」。

            他也幽默說(shuō),若看報(bào)紙關(guān)于三星各方面的評(píng)論、都是認(rèn)為三星的systemLSI的表現(xiàn)是不受三星高層的肯定,這也是有點(diǎn)原因的。

            展望未來(lái),他表示,在10奈米布局上,的確英特爾也在進(jìn)行,但相信10奈米還有好幾年,而臺(tái)積電開(kāi)始Tapeout將約在目前的一年后、屆時(shí)相信會(huì)有相當(dāng)重要的Tapeout,目前臺(tái)積電與重要客戶的合作非常積極、在R&D的進(jìn)度他是相當(dāng)滿意。

            臺(tái)積電致股東報(bào)告書已提到,臺(tái)積電20奈米SoC已獲得客戶熱烈回響,預(yù)期較28奈米更快量產(chǎn)之下達(dá)成驅(qū)動(dòng)該公司今年與明年顯著成長(zhǎng)動(dòng)力。臺(tái)積電10奈米制程技術(shù)正順利研發(fā)中,預(yù)計(jì)2015年試產(chǎn)、2016年量產(chǎn);同時(shí)7奈米開(kāi)發(fā)也已同步展開(kāi)。而10奈米制程是繼16奈米FinFET及16奈米FinFET+后的第三代FinFET制程。



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          評(píng)論


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